[發(fā)明專利]一種適用于IGBT半導(dǎo)體器件的劃片道方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110025607.5
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112838057B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏華忠;黃傳偉;李健;諸建周;呂文生;談益民
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
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• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種適用于IGBT半導(dǎo)體器件的劃片道方法，包括如下步驟:（1）準備好已經(jīng)在表面完成初次劃片道的晶圓；（2）在所述晶圓的表面形成氮化硅；（3）把所述晶圓和所述玻璃基板鍵合在一起；（4）在所述的晶圓上涂覆光刻膠體；（5）把所述光刻膠體位于劃片道區(qū)域內(nèi)的部分去除；（6）把所述晶圓位于劃片道區(qū)域內(nèi)的部分去除；（7）將所述光刻膠體去除；（8）將所述晶圓和所述玻璃基板分離；從而完成半導(dǎo)體器材的劃片道芯片半成品。本發(fā)明，結(jié)構(gòu)簡單，降低劃片的成本，加快生產(chǎn)速度，縮小劃片道的寬度，節(jié)省了劃片道占用的空間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，是涉及一種適用于IGBT半導(dǎo)體器件的劃片道方法。

背景技術(shù)

在芯片的加工過程中，為了后續(xù)的劃片操作，在晶圓的生產(chǎn)過程中會加入劃片道的結(jié)構(gòu)（如圖1所示）。

劃片道的功能是為了在后續(xù)取芯前，把各個芯片通過劃片的方式切割開，最后實現(xiàn)取芯封裝。

如圖2所示，為劃片道的具體結(jié)構(gòu)，寬度X1，深度Y1。目前的劃片道寬度為X1=45um; 深度=20um。

后續(xù)的工藝為減薄，如圖3所示，減薄后晶圓的厚度為Y2

最后的工序為畫片，如圖4所示，即用金剛刀在劃片道處把芯片劃開，提供后續(xù)封裝使用。如圖5所示，為劃片后的芯片。

這種工藝流程，生產(chǎn)成本高、加工速度慢，占用空間大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的就是要解決上述背景技術(shù)的不足，提供一種適用于IGBT半導(dǎo)體器件的劃片道方法，以達到降低劃片的成本，加快生產(chǎn)速度，縮小劃片道的寬度，節(jié)省了劃片道占用的空間的目的。

按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案：一種適用于IGBT半導(dǎo)體器件的劃片道方法，包括如下步驟:

（1）準備好已經(jīng)在表面完成初次劃片道的晶圓；

（2）在所述晶圓的表面形成氮化硅；

（3）把所述晶圓和所述玻璃基板鍵合在一起；

（4）在所述的晶圓上涂覆光刻膠體；

（5）把所述光刻膠體位于劃片道區(qū)域內(nèi)的部分去除；

（6）把所述晶圓位于劃片道區(qū)域內(nèi)的部分去除；

（7）將所述光刻膠體去除；

（8）將所述晶圓和所述玻璃基板分離；從而完成半導(dǎo)體器材的劃片道芯片半成品。

作為本發(fā)明的進一步改進，所述步驟二采用CVD工藝，將所述晶圓放入爐管中，溫度為850-950°C，通氮氣，在所述晶圓的表面形成所述氮化硅,厚度為7-18um。

作為本發(fā)明的進一步改進，所述步驟三通過芯片打線及邦定的工藝，把所述晶圓和所述玻璃基板 鍵合在一起；溫度為400°C-450°C。

作為本發(fā)明的進一步改進，所述步驟四采用手工注入或絲網(wǎng)印刷方式，在所述晶圓上表面涂上光刻膠，并固化形成所述光刻膠體；采用加熱板或烘箱對所述光刻膠進行固化；固化溫度為90°C-150°C。

作為本發(fā)明的進一步改進，所述步驟五采用曝光工藝，在光刻機上進行，把光刻膠體位于劃片道區(qū)域內(nèi)的部分曝光后去除。

作為本發(fā)明的進一步改進，所述步驟六采用等離子干法刻蝕，把所述晶圓位于劃片道區(qū)域內(nèi)部分刻蝕穿，到所述玻璃基板的位置停止刻蝕，使得所述晶圓部分自上到下完全刻蝕穿。

作為本發(fā)明的進一步改進，所述步驟七采用膠濕法去膠、干法去膠或者兩者結(jié)合的方式去除晶圓表面光刻膠體。