[發明專利]一種適用于IGBT半導體器件的劃片道方法

有效

• 申請號: 202110025607.5
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112838057B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 夏華忠;黃傳偉;李健;諸建周;呂文生;談益民
• 申請（專利權）人: 江蘇東海半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：該方法包括如下步驟:

步驟一、準備好已經在表面完成初次劃片道的晶圓(1)；

步驟二、在所述晶圓(1)的表面形成氮化硅(2)；

步驟三、把所述晶圓(1)和玻璃基板(3)鍵合在一起；

步驟四、在所述的晶圓(1)上涂覆光刻膠體(4)；

步驟五、把所述光刻膠體(4)位于劃片道區域(5)內的部分去除；

步驟六、把所述晶圓(1)位于劃片道區域(5)內的部分去除；

步驟七、將所述光刻膠體(4)去除；

步驟八、將所述晶圓(1)和所述玻璃基板(3)分離；從而完成半導體器材的劃片道芯片半成品；

所述步驟二，將所述晶圓(1)放入爐管中，溫度為850-950℃，通氮氣，在所述晶圓(1)的表面形成所述氮化硅(2),厚度為7-18um。

2.如權利要求1所述的適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：所述步驟三，通過芯片打線及邦定工藝，把所述晶圓(1)和所述玻璃基板(3)鍵合在一起；溫度為400℃-450℃。

3.如權利要求1所述的適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：所述步驟四，采用手工注入或絲網印刷方式，在所述晶圓(1)上表面涂上光刻膠，并固化形成所述光刻膠體(4)；采用加熱板或烘箱對所述光刻膠進行固化；固化溫度為90℃-150℃。

4.如權利要求1所述的適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：所述步驟五，曝光在光刻機上進行，把光刻膠體(4)位于劃片道區域(5)內的部分曝光后去除。

5.如權利要求1所述的適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：所述步驟六，采用等離子干法刻蝕，把所述晶圓(1)位于劃片道區域(5)內部分刻蝕穿，到所述玻璃基板(3)的位置停止刻蝕，使得所述晶圓(1)部分自上到下完全刻蝕穿。

6.如權利要求1所述的適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：所述步驟七，采用膠濕法去膠、干法去膠或者兩者結合的方式去除晶圓(1)表面光刻膠體(4)。

7.如權利要求1所述的適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：所述步驟八，使用激光分離工藝；所述激光分離采用激光照射機臺，在真空環境下操作，使用200毫焦的激光進行照射，使得所述晶圓(1)和所述玻璃基板(3)分離。

8.如權利要求3所述的適用于IGBT半導體器件的劃片道方法，其特征在于：所述光刻膠固化形成所述光刻膠體(4)；所述光刻膠體(4)厚度為1-2um。