[發(fā)明專(zhuān)利]改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110024201.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-01-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112782803A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱繼光;寧寧;吳月;潘伯津 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G02B6/10 | 分類(lèi)號(hào)： | G02B6/10;G02B6/136;G03F1/80 |
| 代理公司： | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 401332 重慶*** | 國(guó)省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 硅基光 波導(dǎo) 工藝 魯棒性 方法 | ||
1.一種改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供待刻蝕基底，所述待刻蝕基底上具有設(shè)計(jì)波導(dǎo)圖形區(qū)；
確定輔助圖形區(qū)，以所述設(shè)計(jì)波導(dǎo)圖形區(qū)為基準(zhǔn)，向外擴(kuò)展預(yù)設(shè)距離，形成擴(kuò)展區(qū)，所述待刻蝕基底上所述設(shè)計(jì)圖形區(qū)及所述擴(kuò)展區(qū)外圍的區(qū)域構(gòu)成所述輔助圖形區(qū)；
基于第一掩膜版對(duì)所述待刻蝕基底進(jìn)行第一刻蝕，以在所述設(shè)計(jì)波導(dǎo)圖形區(qū)形成設(shè)計(jì)波導(dǎo)，在所述輔助圖形區(qū)形成輔助圖形；以及
基于第二掩膜版對(duì)所述待刻蝕基底進(jìn)行第二刻蝕，以去除所述輔助圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，形成的所述設(shè)計(jì)波導(dǎo)本身對(duì)應(yīng)的區(qū)域構(gòu)成所述設(shè)計(jì)波導(dǎo)圖形區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述輔助圖形包括若干個(gè)輔助圖形單元，各輔助圖形單元大小和形狀相同，且呈均勻間隔排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述輔助圖形的特征尺寸與所述設(shè)計(jì)圖形的特征尺相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，形成所述擴(kuò)展區(qū)的所述預(yù)設(shè)距離大于所述第一刻蝕的最小相干間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述待刻蝕基底上存在基于所述設(shè)計(jì)波導(dǎo)圖形定義的關(guān)鍵區(qū)，所述關(guān)鍵區(qū)的尺寸小于8μm，其中，所述輔助圖形插設(shè)在所述關(guān)鍵區(qū)當(dāng)中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述待刻蝕基底包括半導(dǎo)體襯底及形成在所述半導(dǎo)體襯底上的硅材料層，所述設(shè)計(jì)波導(dǎo)圖形及所述輔助圖形均形成在所述硅材料層中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝包括進(jìn)行至少一次刻蝕工藝以去除所述輔助圖形的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，基于所述第一掩膜版對(duì)所述待刻蝕基底進(jìn)行第一刻蝕的步驟包括通過(guò)第一光刻工藝在所述待刻蝕基底上形成第一掩膜層的步驟；基于所述第二掩膜版對(duì)所述待刻蝕基底進(jìn)行第二刻蝕的步驟包括通過(guò)第二光刻工藝在所述待刻蝕基底上形成第二掩膜層的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述待刻蝕基底上定義有相鄰的器件區(qū)和非器件區(qū)，所述器件區(qū)包括功能部件制備區(qū)及切割道區(qū)，其中，所述輔助圖形區(qū)位于所述功能部件制備區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任意一項(xiàng)所述的改善硅基光波導(dǎo)工藝魯棒性的方法，其特征在于，所述設(shè)計(jì)波導(dǎo)圖形包括第一密度區(qū)及第二密度區(qū)，所述第一密度區(qū)的圖形密度大于所述第二密度區(qū)的圖形密度，其中，所述輔助圖形區(qū)設(shè)置在所述第二密度區(qū)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司，未經(jīng)聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110024201.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
