[發明專利]晶圓清洗裝置及晶圓清洗方法

有效

• 申請號: 202110024182.6
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112885741B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 胡亞林;黃振偉;王昭欽
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 馬陸娟

本申請公開了一種晶圓清洗裝置和晶圓清洗方法。該晶圓清洗裝置包括：洗刷組件，包括至少兩個相對設置的清洗刷，兩個清洗刷之間形成用于插放晶圓的縫隙；支撐滾輪，位于縫隙下方，用于承載晶圓；電機，連接清洗刷和支撐滾輪，用于驅動清洗刷和支撐滾輪轉動；導電板，位于洗刷組件兩側，導電板的數量與清洗刷的數量相同，且與清洗刷一一對應；以及電源，連接導電板，導電板通電后吸附清洗刷上的污染物，導電板斷電后，清洗刷轉動，清洗晶圓。在清洗刷兩側設置了導電板，吸附導電板上的帶電污染物，從而避免了清洗刷在對晶圓進行清洗時，污染物粘附在晶圓上對晶圓造成污染，提高了清洗裝置的使用壽命，增強了清洗效果，也提高了晶圓的生產良率。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，更具體地，涉及一種晶圓清洗裝置及晶圓清洗方法。

背景技術

隨著半導體制造工藝的特征尺寸越來越小，存儲器件的存儲密度越來越高，對晶圓表面的平整度要求也越來越高。化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是實現半導體晶圓面內平坦化的重要工藝。在化學機械研磨的過程中，需要使用帶有研磨顆粒和化學腐蝕劑的研磨液對晶圓表面進行研磨。在化學機械研磨完成后，為避免晶圓表面殘留大量的研磨顆粒和研磨副產物等污染物，而對后續工藝產生不良影響甚至導致晶圓良率損失，需要在CMP進程后對晶圓進行清洗。

通常使用含有清洗刷和清洗液的清洗裝置來清潔晶圓表面，但是清洗裝置長時間使用，可能出現機器老化等問題，清洗刷表面沾染污垢、轉動過程中機器震動等都會造成晶圓的污染和劃傷，所以，目前的清洗裝置的清洗效率不高，導致晶圓成品率下降。

發明內容

本發明的目的是提供一種晶圓清洗裝置及晶圓清洗方法，通過在晶圓清洗裝置中加入導電板，并外接電源以吸附清洗刷上的污染物，避免污染物污染晶圓，提高清洗效率，提升晶圓生產率和良率。

根據本發明的一方面，提供了一種晶圓清洗裝置，包括：

洗刷組件，包括至少兩個相對設置的清洗刷，兩個所述清洗刷之間形成用于插放所述晶圓的縫隙；

支撐滾輪，位于所述縫隙下方，用于承載所述晶圓；

電機，連接所述清洗刷和所述支撐滾輪，用于驅動所述清洗刷和所述支撐滾輪轉動；

導電板，位于所述洗刷組件兩側，所述導電板的數量與所述清洗刷的數量相同，且與所述清洗刷一一對應；以及

電源，連接所述導電板，所述導電板通電后吸附所述清洗刷上的污染物，所述導電板斷電后，所述清洗刷轉動，清洗所述晶圓。

可選地，所述晶圓清洗裝置還包括：

第一噴桿，位于所述洗刷組件上方，用于噴灑第一清洗液清洗位于所述縫隙中的所述晶圓；

第二噴桿，位于所述導電板上方，用于噴灑第二清洗液清洗所述導電板。

可選地，所述電源向所述導電板施加第一電壓，吸附所述清洗刷上的污染物；所述電源向所述導電板施加第二電壓，使所述污染物從所述導電板上脫離。

可選地，所述第一電壓為正電壓，所述第二電壓為負電壓；所述第一電壓為負電壓，所述第二電壓為正電壓。

可選地，所述電機帶動所述清洗刷沿水平方向移動，以靠近或遠離對應的所述清洗刷。

可選地，所述電源為兩個，每個所述導電板均連接一個所述電源。

可選地，所述導電板為硅板。

根據本發明的另一方面，提供了一種制造晶圓清洗方法，采用上述所述的晶圓清洗裝置，清洗方法包括：

電機帶動清洗刷朝向對應的導電板移動固定距離；

電源向所述導電板施加第一電壓，吸附所述清洗刷上的污染物；