[發明專利]支撐環的量測方法

有效

• 申請號: 202110023442.8
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112786473B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 蔡永慧;譚秀文;蘇亞青
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請公開了一種支撐環的量測方法，包括：通過晶圓的圖像量測環形區域的寬度，該晶圓是經過太鼓減薄工藝減薄后的晶圓，環形區域是中心區域的邊緣至邊線的環形區域，中心區域是晶圓被減薄的區域，邊線是晶圓的邊緣弧線與晶圓所在平面的交點形成的線；根據寬度、晶圓的直徑和中心區域的直徑計算邊緣區域的寬度，邊緣區域是從環形區域的邊緣至晶圓的邊緣的環形區域；根據環形區域的寬度和邊緣區域的寬度計算支撐環的寬度。本申請實施例中的邊緣區域的寬度是通過量測計算得到，解決了相關技術中通過定值的邊緣區域的寬度計算支撐環的寬度所導致的準確度較差的問題，提高了支撐環的寬度的計算的準確度。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種太鼓(taiko)減薄工藝中的支撐環的量測方法。

背景技術

太鼓減薄工藝是由日本迪思科(DISCO)公司開發的一種減薄工藝，該工藝并不對晶圓的整個平面都進行減薄，而只是對晶圓的中心區域進行減薄，不進行減薄的邊緣區域的寬度約為2毫米至5毫米，其形成支撐環。支撐環可以為晶圓提供支撐力，減少晶圓的翹曲，因此，檢測支撐環的寬度可以監控研磨設備的穩定性，以確保晶圓減薄同心度無偏移，否則會有后期工藝破片的風險。

參考圖1，其示出了通過太鼓減薄工藝進行減薄后的晶圓的截面示意圖；參考圖2，其示出了通過太鼓減薄工藝進行減薄后的晶圓的俯視示意圖。如圖1和圖2所示，通過太鼓減薄工藝進行減薄后，晶圓100中需要減薄的中心區域101是直徑為P2P3的圓形區域，支撐環102是晶圓100除中心區域101以外的環形區域。

相關技術中，支撐環的量測方法為：通過相機拍攝得到支撐環的圖像，通過量測該圖像得到支撐環的寬度。如圖1和圖2所示，支撐環102包括邊緣區域103和環形區域104，邊緣區域(bevel)103為弧形，由于弧形的邊緣區域103難以聚焦，因此難以量測到邊緣區域的寬度，鑒于此，相關技術中，支撐環102的寬度是通過量測圖像中的環形區域104的寬度，再加上一個定值(該定值為邊緣區域103的固定寬度值)得到的。例如，如圖1和圖2所示，通過量測晶圓的圖像得到P1P2之間的距離D1，將D1加上定值得到支撐環102的寬度。

然而，由于不同的晶圓的邊緣區域的寬度并不相同，通過量測環形區域的寬度加定值的方式得到支撐環的寬度的量測準確度較差。

發明內容

本申請提供了一種支撐環的量測方法，可以解決相關技術中提供的支撐環的量測方法的準確度較差的問題。

一方面，本申請實施例提供了一種支撐環的量測方法，包括：

通過晶圓的圖像量測環形區域的寬度，所述晶圓是經過太鼓減薄工藝減薄后的晶圓，所述環形區域是中心區域的邊緣至邊線的環形區域，所述中心區域是所述晶圓被減薄的區域，所述邊線是所述晶圓的邊緣弧線與所述晶圓的下表面所在平面的交點形成的線；

根據所述寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算所述邊緣區域的寬度，所述邊緣區域是從所述環形區域的邊緣至所述晶圓的邊緣的環形區域；

根據所述環形區域的寬度和所述邊緣區域的寬度計算所述支撐環的寬度。

可選的，所述晶圓的圖像是通過量測設備拍攝晶圓的截面得到的圖像。

可選的，所述環形區域的寬度包括第一環形寬度和第二環形寬度，所述第一環形寬度是所述環形區域在所述截面的一側的寬度，所述第二環形寬度是所述環形區域在所述截面的另一側的寬度。

可選的，所述根據所述寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算所述邊緣區域的寬度，包括：

根據所述第一環形寬度、所述第二環形寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算所述邊緣區域的寬度。

可選的，所述根據所述第一環形寬度、所述第二環形寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算所述邊緣區域的寬度，包括：