[發明專利]支撐環的量測方法有效
| 申請號: | 202110023442.8 | 申請日: | 2021-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN112786473B | 公開(公告)日: | 2022-07-19 |
| 發明(設計)人: | 蔡永慧;譚秀文;蘇亞青 | 申請(專利權)人: | 華虹半導體(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支撐 方法 | ||
1.一種支撐環的量測方法,其特征在于,包括:
通過晶圓的圖像量測環形區域的寬度,所述晶圓是經過太鼓減薄工藝減薄后的晶圓,所述環形區域是中心區域的邊緣至邊線的環形區域,所述中心區域是所述晶圓被減薄的區域,所述邊線是所述晶圓的邊緣弧線與所述晶圓的下表面所在平面的交點形成的線;
根據所述寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算邊緣區域的寬度,所述邊緣區域是從所述環形區域的邊緣至所述晶圓的邊緣的環形區域;
根據所述環形區域的寬度和所述邊緣區域的寬度計算所述支撐環的寬度。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶圓的圖像是通過量測設備拍攝晶圓的截面得到的圖像。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述環形區域的寬度包括第一環形寬度和第二環形寬度,所述第一環形寬度是所述環形區域在所述截面的一側的寬度,所述第二環形寬度是所述環形區域在所述截面的另一側的寬度。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述根據所述寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算所述邊緣區域的寬度,包括:
根據所述第一環形寬度、所述第二環形寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算所述邊緣區域的寬度。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述根據所述第一環形寬度、所述第二環形寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑計算所述邊緣區域的寬度,包括:
所述根據所述第一環形寬度、所述第二環形寬度、所述晶圓的直徑和所述中心區域的直徑通過以下公式計算所述邊緣區域的寬度:
d=(R-r-D1-D2)/2
其中,d為所述邊緣區域的寬度,D1為所述第一環形寬度,D2為所述第二環形寬度,R為所述晶圓的直徑,r為所述中心區域的直徑。
6.根據權利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述支撐環的寬度包括第一支撐環寬度和第二支撐環寬度,所述第一支撐環寬度是所述支撐環在所述截面的一側的寬度,所述第二支撐環寬度是所述支撐環在所述截面的另一側的寬度;
所述根據所述環形區域的寬度和所述邊緣區域的寬度計算所述支撐環的寬度,包括:
根據所述第一環形寬度和所述邊緣區域的寬度計算所述第一支撐環寬度;
根據所述第二環形寬度和所述邊緣區域的寬度計算所述第二支撐環寬度。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述根據所述第一環形寬度和所述邊緣區域的寬度計算所述第一支撐環寬度,包括:
根據所述第一環形寬度和所述邊緣區域的寬度,通過以下公式計算所述第一支撐環寬度:
Ring1=D1+d
其中,Ring1為所述第一支撐環寬度。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述根據所述第二環形寬度和所述邊緣區域的寬度計算所述第二支撐環寬度,包括:
根據所述第二環形寬度和所述邊緣區域的寬度,通過以下公式計算所述第二支撐環寬度:
Ring2=D2+d
其中,Ring2為所述第二支撐環寬度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華虹半導體(無錫)有限公司,未經華虹半導體(無錫)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110023442.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種餐廚與焚燒一體化協同處理工藝
- 下一篇:一種變壓器鐵芯制造成型方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





