[發明專利]半導體基片貼膜載臺

在審

• 申請號: 202110022821.5
• 申請日: 2021-01-08
• 公開（公告）號: CN112838031A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 郝雨明;裴少帥;蘇亞青;呂劍
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種半導體基片貼膜載臺。半導體基片貼膜載臺包括：載臺本體，載臺本體用于承載半導體基片；圍擋圈，圍擋圈包圍在載臺本體的外周；圍擋圈的內壁與載臺本體外緣之間形成集屑腔；碎屑顆粒收集器，碎屑顆粒收集器包括連通的采集支端和集中端，集中端出設有碎屑顆粒濾網，采集支端連通集屑腔的底部，用于將進入集屑腔中的碎屑顆粒吸入集中至集中端。本申請提供的半導體基片貼膜載臺，可以解決相關技術中，隨著貼膜晶圓數量的增加，載臺凹槽中的碎屑顆粒逐漸積累，在機臺內部氣流的作用下，積累在凹槽中的碎屑顆粒會被吹出，粘附在貼膜膠帶上的問題。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種半導體基片貼膜載臺。

背景技術

隨著電子信息類產品對于性能提升的需求越來越高，對于有限空間內芯片的集成度要求也越來越高，這便要求芯片要做到更小更薄。為了進一步加大批次生產芯片的產出量，降低生產成本，用來制作芯片的襯底晶圓一直在增大，從4寸，6寸，8寸逐步過渡到目前主流的12寸襯底晶圓。例如，在功率器件芯片生產過程中，為了不斷地提升功率器件的性能，需要在越來越薄的襯底晶圓上進行加工；進而需要通過背面減薄工藝將原始12寸襯底晶圓進行磨削，減少晶圓厚度。

在晶圓減薄前，需要在晶圓的表面貼覆一層起保護作用的膜。通常采用與晶圓尺寸相近的載臺用于承載研磨后待貼膜的晶圓，再通過棍棒將傳輸至載臺上方的膜平整地按壓在晶圓的目標面上，最后通過刀片沿著晶圓邊緣將膜切開，在刀片切膜的過程中容易產生碎屑顆粒。

為了防止碎屑顆粒散落，相關技術中載臺的周圍通常會形成凹槽。但是，隨著貼膜晶圓數量的增加，凹槽中的碎屑顆粒逐漸積累，在機臺內部氣流的作用下，積累在凹槽中的碎屑顆粒會被吹出，粘附在貼膜膠帶上。粘附有碎屑顆粒的貼膜膠帶，在之后的貼膜過程中會被粘貼到晶圓上。從而會導致在后續研磨過程中，夾在膜層和晶圓表面之間的碎屑顆粒對晶圓造成表面劃傷、隱裂等風險。

發明內容

本申請提供了一種半導體基片貼膜載臺，可以解決相關技術中，隨著貼膜晶圓數量的增加，載臺凹槽中的碎屑顆粒逐漸積累，在機臺內部氣流的作用下，積累在凹槽中的碎屑顆粒會被吹出，粘附在貼膜膠帶上的問題。

本申請提供一種半導體基片貼膜載臺，所述半導體基片貼膜載臺包括：

載臺本體，所述載臺本體用于承載半導體基片；

圍擋圈，所述圍擋圈包圍在所述載臺本體的外周；所述圍擋圈的內壁與所述載臺本體外緣之間形成集屑腔；

碎屑顆粒收集器，所述碎屑顆粒收集器包括連通的采集支端和集中端，所述集中端出設有碎屑顆粒濾網，所述采集支端連通所述集屑腔的底部，用于將進入所述集屑腔中的碎屑顆粒吸入集中至所述集中端。

可選的，所述圍擋圈通過連接部與所述載臺本體連接。

可選的，所述連接部設于所述集屑腔中，所述連接部的一端連接所述圍擋圈的內壁，另一端連接所述載臺本體的外緣。

可選的，所述連接部有多個，多個所述連接部沿著所述載臺本體的周向間隔排布。

可選的，所述連接部將所述集屑腔分隔成多個集屑子腔，多個所述集屑子腔沿著所述載臺本體的周向間隔排布。

可選的，每個所述集屑子腔的底部連接一所述采集支端，各個所述集屑子腔的采集支端共同連通至集中端，用于將各個進入各個所述集屑子腔中的碎屑顆粒吸入集中至所述集中端。

可選的，所述采集支端與對應集屑子腔的底部密封貼合。

可選的，所述集中端后設有抽氣泵，所述抽氣泵與所述集中端連通，用于將進入所述集屑腔中的碎屑顆粒吸入集中至所述集中端。