[發明專利]一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法在審
| 申請號： | 202110019865.2 | 申請日： | 2021-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN112768560A | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發明（設計）人： | 彭壽;潘錦功;傅干華;蔣猛;劉鑫 | 申請（專利權）人： | 成都中建材光電材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司： | 成都市集智匯華知識產權代理事務所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李華;溫黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙玻光伏 組件 圖案 刻蝕 方法 | ||
1.一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法，其特征在于，包括：
對雙玻光伏組件的玻璃基板(1)上鍍膜并形成鍍膜面；
在所述鍍膜面上設置帶有預設鏤空圖形的掩膜層；
以所述掩膜層作為遮擋體，對所述鍍膜面分別進行化學刻蝕處理和噴砂刻蝕處理；
取下所述掩膜層，對所述玻璃基板(1)清潔處理。
2.根據權利要求1所述的一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法，其特征在于，所述化學刻蝕處理包括：
向處于所述掩膜層上鏤空圖形內的所述鍍膜面通過硝酸溶液對所述鍍膜面的Mo膜層(2)、CdTe發電層(3)和CdS發電層(4)進行腐蝕處理。
3.根據權利要求2所述的一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法，其特征在于，對所述膜面進行化學刻蝕處理時，所述硝酸溶液的濃度50％～70％，所述化學刻蝕處理的環境溫度為20～25℃。
4.根據權利要求1所述的一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法，其特征在于，所述噴砂刻蝕處理包括：
向處于所述掩膜層上鏤空圖形內的所述鍍膜面通過噴砂處理去除所述鍍膜面上的TCO膜層(5)，其中，所述噴砂處理中球形沙粒的硬度小于4，并通過0.1Mpa的壓縮空氣帶動噴射到所述掩膜層上。
5.根據權利要求4所述的一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法，其特征在于，對所述鍍膜面進行噴砂處理時的環境溫為18～25℃，濕度為40～60％RH。
6.根據權利要求1所述的一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法，其特征在于，所述對所述鍍膜面分別進行化學刻蝕處理和噴砂刻蝕處理后的所述玻璃基板(1)檢測絕緣電阻，具體包括：
使用電壓為1000V、檢測距離為1～2mm的兩個探針檢測絕緣電阻，其中，當檢測所述絕緣電阻≥1Gohm時，取下所述掩膜層，對所述玻璃基板(1)清潔處理。
7.根據權利要求1所述的一種對雙玻光伏組件圖案刻蝕的方法，其特征在于，在進行化學刻蝕處理時，所述掩膜層的材料為光刻膠、Cr/Au、Ti/Au、碳化硅中的任意一種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
