[發明專利]一種雙面OSP工藝的封裝基板加工方法有效
| 申請號: | 202110018198.6 | 申請日: | 2021-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN112490134B | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 何福權 | 申請(專利權)人: | 深圳和美精藝半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 深圳市深軟翰琪知識產權代理有限公司 44380 | 代理人: | 吳雅麗 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 osp 工藝 封裝 加工 方法 | ||
1.一種雙面OSP工藝的封裝基板加工方法,其特征在于:其方法步驟如下:
步驟一:開料烤板;
選取原材料為雙面覆銅箔的基板,其中銅箔厚度均為一樣厚度,基材厚度根據成品板厚設計需求選擇芯板厚度;烤板溫度為200-220℃,烤板時間為3-4小時高溫烘烤;
步驟二:減薄銅;
進一步將原材料銅箔厚度降低至薄銅,兩面銅厚要一致;
步驟三:鉆孔;
鉆孔程式通過鉆孔機在覆銅基板上鉆出相應的定位孔、管位孔、過孔,實現層與層之間電路互聯的通孔;鉆咀從上銅箔高速鉆到下銅箔形成通孔;
步驟四:孔化和整板電銅;
對鉆孔后基板的孔壁形成一層有機導電膜,使上下面銅箔導電,為后續電銅提供基礎附著層;再在封裝基板的孔壁及表面電鍍上一層銅層,銅厚的均勻性控制在4um以內;
步驟五:線路圖形顯露;
步驟六:光學檢查;
進一步對線路蝕刻后的封裝基板進行光學掃描檢測線路開短路、曝光不良、顯影不凈、蝕刻不凈、孔偏位的問題;
步驟七:防焊;
步驟八:成型;
按照銑板程式將防焊后的封裝基板大板銑成條帶尺寸;
步驟九:清洗;
將銑板后的封裝基板清洗表面臟污雜質及氧化,進一步烘干板面;
步驟十:電測;
電測前先用AVI檢測機掃描封裝基板,檢測品質問題,銅面、油面問題,檢測外觀不良,電測封裝基板板內開短路;
步驟十一:OSP處理,具體包括以下步驟:除油、DI水洗、微蝕、水洗、預浸、水洗、吸干檢查、OSP抗氧化處理、吸干、水洗、吹干烘干冷卻;
步驟十二:廢板打鐳射標識;
步驟十三:清洗封裝基板;
步驟十四:真空包裝。
2.根據權利要求1所述的雙面OSP工藝的封裝基板加工方法,其特征在于:電銅后的封裝基板放入烤箱高溫烘烤,去除板面濕氣,消除封裝基板內應力,烤板溫度在150℃,高溫烤板1小時;線路前中粗化壓膜,酸洗板面臟污,粗化上下兩面銅面粗糙度,提高銅面與干膜的結合力,干膜為感光干膜,自動壓膜時溫度在100-135℃,貼膜時間在2-3秒;線路曝光,采用DI曝光機用工程資料自動對位曝光,在封裝基板上呈現線路圖形,顯影去除未曝光的干膜,蝕刻去掉未曝光部分的銅,并褪掉曝光部分的干膜,使線路圖形完全顯露出來。
3.根據權利要求1所述的雙面OSP工藝的封裝基板加工方法,其特征在于:所述步驟七的具體操作為防焊作業前通過化學酸洗、機械磨刷和噴砂相結合的方法對線路后的銅面去除板面氧化和雜質,粗化銅面,清潔板面,提高防焊油墨與銅面的結合力;噴砂壓力為1.2kg/cm2,經過超粗化液藥水,加大銅面粗糙度,提高銅面與油墨層的結合力,在封裝基板銅面上絲印網版印油形成雙面防焊層,經過曝光紫外光照射的部分油墨保留,將未經過曝光的部分油墨去除,露出銅焊盤,經過高溫烘烤UV照射固化硬化油墨層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





