[發明專利]發光面板及其制作方法有效
| 申請號: | 202110017523.7 | 申請日: | 2021-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN112838100B | 公開(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發明(設計)人: | 劉俊領 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/15;H01L29/786;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 面板 及其 制作方法 | ||
本申請提出了一種發光面板及其制作方法,所述發光面板包括薄膜晶體管區和遠離所述薄膜晶體管區的綁定區,所述薄膜晶體管區內設置有多個薄膜晶體管單元,所述綁定區內設置有至少一個第一端子,所述第一端子至少包括位于所述襯底上的第一電極。本申請通過將所述第一電極與薄膜晶體管單元中的第一金屬層及第二金屬層中至少一者同層設置,以使所述第一電極通過電連接構件與所述驅動電路層電連接,以及將第一電極、驅動電路層中的源漏極以及遮光金屬在同一道工藝中形成,減少了制程工藝的蝕刻次數,簡化了發光面板的工藝難度,提高了制程效率。
技術領域
本申請涉及顯示領域,特別涉及一種發光面板及其制作方法。
背景技術
現有的發光二極管顯示器件的背光模組通常包括驅動電路板及位于驅動電路板上的發光二極管,例如Micro?LED或Mini?LED,因此背光模組的結構設計在高分辨率產品尤為重要。
現有背光模組中的驅動電路板,制程復雜,其通常需要7道光罩才能完成驅動電路板的制備工藝;同時,在進行綁定端子的工藝時,需要用于遮擋半導體層的黑色遮光材料可能與綁定端子接觸,導致黑色遮光材料在綁定端子殘留,影響綁定端子與發光二極管的連接效果,降低了產品的良率。
發明內容
本申請提供一種發光面板及其制作方法,以解決現有發光二極管顯示器件制程工藝復雜及良率低的技術問題。
為解決上述問題,本申請提供的技術方案如下:
本申請提出了一種發光面板,所述發光面板包括薄膜晶體管區和遠離所述薄膜晶體管區的綁定區,所述薄膜晶體管區內設置有多個薄膜晶體管單元,任一所述薄膜晶體管單元包括襯底以及位于所述襯底上的驅動電路層,所述驅動電路層至少包括位于所述襯底上的第一金屬層及位于所述第一金屬層上的第二金屬層;
其中,所述綁定區內設置有至少一個第一端子,所述第一端子至少包括位于所述襯底上的第一電極,所述第一電極與所述第一金屬層及所述第二金屬層中至少一者同層設置,所述第一電極通過電連接構件與所述驅動電路層電連接。
在本申請的發光面板中,所述驅動電路層包括位于所述襯底上的遮光金屬層、位于所述遮光金屬層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的有源層、位于所述有源層上的第二絕緣層、位于所述第二絕緣層上的柵極層、位于所述柵極層上的第三絕緣層,所述有源層包括與所述第二絕緣層對應的溝道區以及位于所述溝道區兩側的第一有源區和第二有源區,所述第一有源區遠離所述綁定區設置,所述第二有源區靠近所述綁定區設置;
其中,所述第一電極與所述遮光金屬層同層設置,所述第一電極通過所述電連接構件與所述第二有源區內的有源材料電連接。
在本申請的發光面板中,所述遮光金屬層包括靠近所述綁定區的第一遮光構件和遠離所述綁定區的第二遮光構件;
其中,所述第一遮光構件通過第一過孔與所述第一有源區內的有源材料電連接,所述第二遮光構件通過第二過孔與所述第二有源區內的有源材料電連接,所述電連接構件與所述第二有源區內的有源材料搭接設置,所述電連接構件通過第三過孔與所述第一電極電連接。
在本申請的發光面板中,所述第二遮光構件在所述襯底上的投影面積大于所述第一遮光構件在在所述襯底上的正投影面積。
在本申請的發光面板中,所述驅動電路層還包括與所述有源層同層設置的源漏極層,所述源漏極層包括源極端子和漏極端子,所述源極端子與所述第一有源層內的有源材料電連接,所述漏極端子與所述第二有源層內的有源材料電連接;
其中,所述電連接構件與所述漏極端子搭接設置;或者,所述漏極端子構成與所述第一電極電連接的電連接構件。
在本申請的發光面板中,所述綁定區內還設置有位于所述第一電極上的第二電極以及位于所述第二電極上的像素電極,所述第二電極與所述柵極層在同一道光罩工藝中形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





