[發(fā)明專利]發(fā)光面板及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110017523.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112838100B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉俊領(lǐng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/15;H01L29/786;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光面板,其特征在于,所述發(fā)光面板包括薄膜晶體管區(qū)和遠(yuǎn)離所述薄膜晶體管區(qū)的綁定區(qū),所述薄膜晶體管區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)薄膜晶體管單元,任一所述薄膜晶體管單元包括襯底以及位于所述襯底上的驅(qū)動(dòng)電路層,所述驅(qū)動(dòng)電路層至少包括位于所述襯底上的第一金屬層及位于所述第一金屬層上的第二金屬層;
其中,所述綁定區(qū)內(nèi)設(shè)置有至少一個(gè)第一端子,所述第一端子至少包括位于所述襯底上的第一電極,所述第一電極與所述第一金屬層及所述第二金屬層中至少一者同層設(shè)置,所述第一電極通過(guò)電連接構(gòu)件與所述驅(qū)動(dòng)電路層電連接;
所述驅(qū)動(dòng)電路層包括位于所述襯底上的遮光金屬層、位于所述遮光金屬層上的有源層、位于所述有源層上的第二絕緣層、位于所述第二絕緣層上的遮光有機(jī)層、位于所述遮光有機(jī)層上的像素電極,所述有源層包括與所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)的溝道區(qū)以及位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的第一有源區(qū)和第二有源區(qū),所述第一有源區(qū)遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)設(shè)置,所述第二有源區(qū)靠近所述綁定區(qū)設(shè)置;
其中,所述第一電極與所述遮光金屬層同層設(shè)置,所述電連接構(gòu)件和所述有源層同層設(shè)置,所述第一電極通過(guò)所述電連接構(gòu)件與所述第二有源區(qū)內(nèi)的有源材料電連接;
所述發(fā)光面板還包括位于所述綁定區(qū)內(nèi)的第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口貫穿所述遮光有機(jī)層,所述像素電極沿所述第一開(kāi)口的邊緣與所述第一電極電連接,所述像素電極覆蓋部分所述遮光有機(jī)層,所述發(fā)光面板還包括位于所述第一開(kāi)口內(nèi)的發(fā)光二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)電路層包括位于所述遮光金屬層上的第一絕緣層、位于所述第二絕緣層上的柵極層、位于所述柵極層上的第三絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光面板,其特征在于,所述遮光金屬層包括靠近所述綁定區(qū)的第一遮光構(gòu)件和遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)的第二遮光構(gòu)件;
其中,所述第一遮光構(gòu)件通過(guò)第一過(guò)孔與所述第一有源區(qū)內(nèi)的有源材料電連接,所述第二遮光構(gòu)件通過(guò)第二過(guò)孔與所述第二有源區(qū)內(nèi)的有源材料電連接,所述電連接構(gòu)件與所述第二有源區(qū)內(nèi)的有源材料搭接設(shè)置,所述電連接構(gòu)件通過(guò)第三過(guò)孔與所述第一電極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光面板,其特征在于,所述第二遮光構(gòu)件在所述襯底上的投影面積大于所述第一遮光構(gòu)件在所述襯底上的正投影面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光面板,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)電路層還包括與所述有源層同層設(shè)置的源漏極層,所述源漏極層包括源極端子和漏極端子,所述源極端子與所述第一有源區(qū)內(nèi)的有源材料電連接,所述漏極端子與所述第二有源區(qū)內(nèi)的有源材料電連接;
其中,所述電連接構(gòu)件與所述漏極端子搭接設(shè)置;或者,所述漏極端子構(gòu)成與所述第一電極電連接的電連接構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光面板,其特征在于,所述綁定區(qū)內(nèi)還設(shè)置有位于所述第一電極上的第二電極以及位于所述第二電極上的像素電極,所述第二電極與所述柵極層在同一道光罩工藝中形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)電路層包括位于所述襯底上的柵極層、位于所述柵極層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的所述有源層、位于所述有源層上的源漏極層,所述源漏極層包括遠(yuǎn)離所述綁定區(qū)的源極端子和靠近所述綁定區(qū)的漏極端子,所述漏極端子構(gòu)成與所述第一電極電連接的電連接構(gòu)件;
所述綁定區(qū)內(nèi)設(shè)置有與所述柵極層同層設(shè)置的第一電極,所述第一電極通過(guò)第三過(guò)孔與所述漏極端子電連接,所述柵極層為所述遮光金屬層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





