[發(fā)明專利]顯示面板以及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110017059.1 | 申請日: | 2021-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN112838099B | 公開(公告)日: | 2023-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 肖偏;龍思邦 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;H10K59/131 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括第一金屬層和設(shè)于所述第一金屬層上的絕緣層;
其中,所述第一金屬層包括第一重疊區(qū)域,所述第一重疊區(qū)域為所述第一金屬層和所述絕緣層重疊的區(qū)域,所述第一重疊區(qū)域包括至少一個鏤空區(qū)域;
其中,所述絕緣層通過PVD形成于所述第一金屬層上,所述鏤空區(qū)域用于在形成所述絕緣層的過程中,降低所述第一金屬層吸引負離子以及排斥正離子的能力,以提高形成于所述第一金屬層上的所述絕緣層的致密性;
其中,所述第一金屬層為電源線。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述至少一個鏤空區(qū)域中其中一個鏤空區(qū)域的形狀為矩形、圓形或者鋸齒形。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述至少一個鏤空區(qū)域包括多個鏤空區(qū)域,所述多個鏤空區(qū)域陣列排布或者所述多個鏤空區(qū)域平行排布。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于:
所述絕緣層包括:
多個絕緣部,所述多個絕緣部間隔設(shè)置;
所述第一重疊區(qū)域包括:
多個第一子重疊區(qū)域,所述多個第一子重疊區(qū)域為所述第一金屬層和所述絕緣層重疊的多個區(qū)域,所述多個第一子重疊區(qū)域中每一個第一子重疊區(qū)域包括至少一個鏤空區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層還包括:
多個第一連接區(qū)域,所述多個第一子重疊區(qū)域中相鄰的兩個第一子重疊區(qū)域之間包括一個第一連接區(qū)域,所述第一連接區(qū)域連接對應(yīng)的兩個第一子重疊區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一連接區(qū)域為連續(xù)的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一連接區(qū)域的寬度大于對應(yīng)的兩個第一子重疊區(qū)域的寬度。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第二金屬層,所述第二金屬層設(shè)于所述絕緣層遠離所述第一金屬層的一側(cè),所述第二金屬層包括第二重疊區(qū)域,所述第二重疊區(qū)域為所述第二金屬層和所述絕緣層重疊的區(qū)域,所述第二重疊區(qū)域包括至少一個鏤空區(qū)域。
9.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-8任一所述的顯示面板。
10.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括第一金屬層和設(shè)置在所述第一金屬層上的絕緣層;
所述絕緣層包括多個絕緣部,所述多個絕緣部間隔設(shè)置;
所述第一金屬層包括多個第一子重疊區(qū)域和多個第一連接區(qū)域,多個所述第一子重疊區(qū)域為所述第一金屬層和所述絕緣層重疊的多個區(qū)域,多個所述第一子重疊區(qū)域中相鄰的兩個所述第一子重疊區(qū)域之間包括一個所述第一連接區(qū)域,所述第一連接區(qū)域連接對應(yīng)的兩個所述第一子重疊區(qū)域;
其中,所述多個第一子重疊區(qū)域中每一個所述第一子重疊區(qū)域的寬度小于所述多個第一連接區(qū)域中每一個所述第一連接區(qū)域的寬度以及對應(yīng)的所述絕緣部的寬度;
其中,所述絕緣層通過PVD形成于所述第一金屬層上,所述第一子重疊區(qū)域的寬度小于對應(yīng)的所述第一連接區(qū)域的寬度,以用于在形成所述絕緣層的過程中,降低所述第一金屬層吸引負離子以及排斥正離子的能力,以提高形成于所述第一金屬層上的所述絕緣層的致密性;
其中,所述第一金屬層為電源線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





