[發明專利]顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 202110017059.1
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112838099B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 肖偏;龍思邦
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/15;H10K59/131
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本發明提供了顯示面板以及顯示裝置，該顯示面板包括第一金屬層和設于第一金屬層上的絕緣層；其中，第一金屬層包括第一重疊區域，第一重疊區域為第一金屬層和絕緣層重疊的區域，第一重疊區域包括至少一個鏤空區域；該方案可以減少第一金屬層和絕緣層的正對面積，以減小沉積在第一金屬層上的負離子濃度和正離子濃度的差異性，從而提高絕緣層的致密性。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及顯示器件的制造領域，具體涉及顯示面板以及顯示裝置。

背景技術

Mini?LED(Mini?Light?Emitting?Diode?，亞毫米發光二極管)技術為在芯片上集成尺寸在100μm量級的LED陣列的技術，利用該技術制成的Mini?LED顯示面板具備區域亮度可調、高顯色性、高對比度等優點。

目前，有源選址驅動的Mini?LED面板中部分金屬線傳導的電流較大，因此該金屬線的寬度也相應設置的較大。后期在該金屬線上通過PVD(Physical?Vapour?Deposition，物理氣相沉積)形成絕緣層的過程中，該金屬線靠近靶材的一側帶正電，較大的寬度導致該金屬線和等離子體的正對面積較大，金屬線靠近靶材的一側會吸引等離子體中較多的負離子以及排斥等離子體中較多的正離子，導致等離子體中的負離子和正離子無法均勻地沉積在金屬線上，造成絕緣層中的負離子濃度和正離子濃度差異過大，降低了絕緣層的致密性。

綜上所述，有必要提供可以提高絕緣層的致密性的顯示面板以及顯示裝置。

發明內容

本發明目的在于提供顯示面板以及顯示裝置，包括第一金屬層和設于第一金屬層上的絕緣層，通過將第一金屬層和絕緣層重疊的區域設置為包括至少一個鏤空區域，解決了現有技術中因金屬線和等離子體的正對面積較大，導致等離子體中的負離子和正離子無法均勻地沉積在金屬線上，導致形成的絕緣層的致密性較低的問題。

本發明實施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括第一金屬層和設于所述第一金屬層上的絕緣層；

其中，所述第一金屬層包括第一重疊區域，所述第一重疊區域為所述第一金屬層和所述絕緣層重疊的區域，所述第一重疊區域包括至少一個鏤空區域。

在一實施例中，所述至少一個鏤空區域中其中一個鏤空區域的形狀為矩形、圓形或者鋸齒形。

在一實施例中，所述至少一個鏤空區域包括多個鏤空區域，所述多個鏤空區域陣列排布或者所述多個鏤空區域平行排布。

在一實施例中，所述絕緣層包括：

多個絕緣部，所述多個絕緣部間隔設置；

所述第一重疊區域包括：

多個第一子重疊區域，所述多個第一子重疊區域為所述第一金屬層和所述絕緣層重疊的多個區域，所述多個第一子重疊區域中每一個第一子重疊區域包括至少一個鏤空區域。

在一實施例中，所述第一金屬層還包括：

多個第一連接區域，所述多個第一子重疊區域中相鄰的兩個第一子重疊區域之間包括一個第一連接區域，所述第一連接區域連接對應的兩個第一子重疊區域。

在一實施例中，所述第一連接區域為連續的區域。

在一實施例中，所述第一連接區域的寬度大于對應的兩個第一子重疊區域的寬度。

在一實施例中，所述顯示面板還包括：

第二金屬層，所述第二金屬層設于所述絕緣層遠離所述第一金屬層的一側，所述第二金屬層包括第二重疊區域，所述第二重疊區域為所述第二金屬層和所述絕緣層重疊的區域，所述第二重疊區域包括至少一個鏤空區域。

本發明實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括任一如上所述的顯示面板。