[發(fā)明專利]一種復合板及其制備方法、均熱板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110017035.6
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112760644A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 劉科海;丁志強;張志強;寇金宗;黃智;樂湘斌;陳益;王恩哥
• 申請（專利權）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C16/26;C23C16/02;C25D3/38;C22F1/08;C22F1/02;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 余菲

本申請涉及材料領域，具體而言，涉及一種復合板及其制備方法、均熱板。復合板包括依次層疊設置的第一銅箔、石墨烯層以及第二銅箔；其中，所述第一銅箔為晶疇數(shù)小于或等于5個/平方厘米；所述第二銅箔為電鍍銅。在晶疇數(shù)小于或等于5個/平方厘米的第一銅箔具有較佳的導熱性，在第一銅箔上設置石墨烯層，然后在石墨烯層上設置電鍍銅且厚度可調(diào)至1μm至1mm，電鍍銅以及第一銅箔可以克服石墨烯層不能作為結構材料的問題，由分別位于石墨烯層兩側(cè)的晶疇數(shù)較小的第一銅箔以及電鍍銅組成的復合板，具有較佳的導熱系數(shù)和合適的強度。

技術領域

本申請涉及材料領域，具體而言，涉及一種復合板及其制備方法、均熱板。

背景技術

芯片持續(xù)高負載運行時會產(chǎn)生的大量熱，導致芯片溫度過高、出現(xiàn)運行卡頓、掉幀、降頻等現(xiàn)象，芯片性能下降明顯。可以采用均熱板為其將熱。均熱板主要結構由上蓋板、下蓋板、密封腔體、毛細結構和冷卻介質(zhì)組成，通常上/下蓋板由純銅板制成，焊接成一個內(nèi)壁具有微細結構的真空腔體。均熱板是一個內(nèi)壁具有微細結構的真空腔體，通常由銅制成。但是現(xiàn)有的均熱板導熱系數(shù)有待提高。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例的目的在于提供一種復合板及其制備方法、均熱板，其旨在提高均熱板的導熱系數(shù)。

本申請?zhí)峁┮环N復合板，復合板包括依次層疊設置的第一銅箔、石墨烯層以及第二銅箔；

其中，所述第一銅箔為晶疇數(shù)小于或等于5個/平方厘米；

所述第二銅箔為電鍍銅。

在晶疇數(shù)小于或等于5個/平方厘米的第一銅箔具有較佳的導熱性，在第一銅箔上設置石墨烯層，然后在石墨烯層上設置電鍍銅，電鍍銅以及第一銅箔可以克服石墨烯層不能作為結構材料的問題，由分別位于石墨烯層兩側(cè)的晶疇數(shù)較小的第一銅箔以及電鍍銅組成的復合板可以具有較佳的導熱系數(shù)。

在本申請的一些實施例中，第一銅箔的厚度為3-150μm。

在本申請的一些實施例中，第一銅箔與所述石墨烯層的硬度為30-60HV。

在本申請的一些實施例中，第二銅箔的厚度為1-1000μm；

在本申請的一些實施例中，復合板的硬度為100-200HV。

在本申請的一些實施例中，復合板包括多個石墨烯層以及多個第二銅箔；所述石墨烯層與所述第二銅箔交叉設置，且所述石墨烯層覆蓋所述第一銅箔。

本申請還提供一種上述復合板的制備方法，包括：

在第一銅箔上生長石墨烯層；

采用電鍍的方式在所述石墨烯層上制備第二銅箔；

其中，所述第一銅箔的晶疇數(shù)小于或等于5個/平方厘米。

在本申請的一些實施例中，在所述第一銅箔上生長石墨烯層之前還包括制備所述第一銅箔，具體包括：

在惰性氣氛下，加熱電解銅箔或壓延銅箔至800-1075℃，然后在還原氣氛下退火。

在本申請的一些實施例中，在第一銅箔上生長石墨烯層的步驟中采用化學氣相沉積的方式生長所述石墨烯層。

本申請還提供一種均熱板，所述均熱板是通過復合板連接而成。

本申請實施例提供的均熱板具有上述復合板的優(yōu)點。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本申請的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關的附圖。