[發明專利]光掩模

在審

• 申請號: 202110016918.5
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN113156758A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 田中千惠;山田步實;齊藤隆史
• 申請（專利權）人: 株式會社SK電子
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/76;G03F7/20
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供能夠穩定地解像微細的孔圖案的光掩模。該光掩模具備：露出透過性基板的透過部；以及包圍透過部的、將曝光光的相位反轉的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部與透過部之間，第2相移部對曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能夠由第1相移部的相移膜與半透過膜的層疊結構而構成。

技術領域

本發明涉及一種在光刻工序中所使用的光掩模。

背景技術

在用于制造平板顯示器等電子設備的光刻工序中使用光掩模。一直以來，用于將孔圖案轉印至光致抗蝕劑的光掩模使用的是具備遮光部和透過部、并且與孔圖案對應的部位成為透過部的二元掩模。

近年來，例如，為了能夠形成2[μm]以下的微細的孔圖案，提出了相移掩模作為用于孔的圖案化的光掩模。已知相移掩模與以往的二元掩模相比不僅具有分辨率的提高效果，而且還具有焦深(DOF)的改善效果。(例如參照專利文獻1的第4段落)

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2018-163335號公報

發明內容

發明要解決的課題

但是，在使用相移掩模而將微細的孔圖案轉印至光致抗蝕劑的情況下，雖然可得到焦深的提高效果，但是需要高曝光量(Dose)。因此，具有曝光時間增大、曝光裝置的節拍時間增大的問題。

因此，以往的光掩模不能充分滿足用于制造電子設備的光刻工序中對實際使用條件的更嚴格的要求。

另外，由于要求比LSI等半導體裝置制造工序中要求的DOF高一個數量級的DOF，因此通過半導體裝置制造用的微細化技術(半導體工藝技術)也不能滿足這樣嚴格的要求。

鑒于上述課題，本發明的目的在于提供能夠穩定地解像微細的孔圖案的光掩模。

用于解決課題的手段

本發明涉及的光掩模，其特征在于，具備透過部、第1相移部和第2相移部，

所述第1相移部及第2相移部包圍所述透過部，

所述第2相移部介于所述第1相移部與所述透過部之間，

所述第2相移部及所述第1相移部將曝光光的相位反轉，

所述第2相移部的透射率比所述第1相移部的透射率低。

另外，本發明涉及的光掩模，其特征在于，所述第1相移部的透射率為8～15％，所述第2相移部的透射率為3～7％。

另外，本發明涉及的光掩模，其特征在于，所述第1相移部及所述第2相移部的相移量為160[°]以上且210[°]以下的范圍。

通過設為這樣的構成，從而可以提供能夠改善光刻工序中的DOF及所需曝光量的光掩模。

另外，本發明涉及的光掩模，其特征在于，所述第1相移部的相移量為160[°]以上且190[°]以下的范圍，所述第2相移部的相移量為180[°]以上且210[°]以下的范圍。

通過設為這樣的構成，從而容易調整第1相移部及第2相移部的相移量。

另外，本發明涉及的光掩模，其特征在于，所述第2相移部是構成所述第1相移部的相移膜與半透過膜的層疊。

通過設為這樣的構成，從而容易制造光掩模。

發明效果

根據本發明，可以提供能夠穩定地解像微細的孔圖案的光掩模。

附圖說明

圖1(a)是實施方式1的光掩模的俯視圖，圖1(b)、圖1(c)是用于說明其光刻特性(DOF及所需曝光量)的改善效果的圖表。

圖2(a)、圖2(b)是表示實施方式1的光掩模的主要工序的剖視圖，圖2(c)是其俯視圖。