[發明專利]光掩模在審
| 申請號: | 202110016918.5 | 申請日: | 2021-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN113156758A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | 田中千惠;山田步實;齊藤隆史 | 申請(專利權)人: | 株式會社SK電子 |
| 主分類號: | G03F1/26 | 分類號: | G03F1/26;G03F1/76;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 | ||
1.一種光掩模,其特征在于,具備透過部、第1相移部和第2相移部,
所述第1相移部及所述第2相移部包圍所述透過部,
所述第2相移部介于所述第1相移部與所述透過部之間,
所述第2相移部及所述第1相移部將曝光光的相位反轉,
所述第2相移部的透射率比所述第1相移部的透射率低。
2.根據權利要求1所述的光掩模,其特征在于,所述第1相移部的透射率為8~15%,所述第2相移部的透射率為3~7%。
3.根據權利要求1或2所述的光掩模,其特征在于,所述第1相移部及所述第2相移部的相移量為160[°]以上且210[°]以下的范圍。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的光掩模,其特征在于,所述第1相移部的相移量為160[°]以上且190[°]以下的范圍,
所述第2相移部的相移量為180[°]以上且210[°]以下的范圍。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的光掩模,其特征在于,所述第2相移部是構成所述第1相移部的相移膜與半透過膜的層疊。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





