[發明專利]半導體標記制作方法及半導體標記

有效

• 申請號: 202110016542.8
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112864023B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 單闖
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/544
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

本發明涉及半導體技術領域，提出了一種半導體標記制作方法及半導體標記。半導體標記制作方法包括：提供周向邊緣經OPC修正后的圖形；在圖形上裁剪出多個獨立的對準段；拼接多個對準段，以形成周向邊緣經OPC修正的半導體標記。通過對周向邊緣經OPC修正后的圖形進行裁剪后拼接，以此獲得周向邊緣經OPC修正的半導體標記，即可以在多個對準段拼接后即可形成周向邊緣經OPC修正的半導體標記，省去了形成半導體標記后再進行OPC修正的時間，以此提高半導體標記的制作效率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體標記制作方法及半導體標記。

背景技術

在半導體制作過程中，尤其是DRAM(Dynamic Random Access Memory)的制作過程中，需要利用半導體標記輔助實現半導體結構與機臺的對準等。相關技術中針對半導體標記的制作沒有較為統一的方式，且整體制作效率較低。

發明內容

本發明提供一種半導體標記制作方法及半導體標記，以提高半導體標記的制作效率。

根據本發明的第一個方面，提供了一種半導體標記制作方法，包括：

提供周向邊緣經OPC修正后的圖形；

在圖形上裁剪出多個獨立的對準段；

拼接多個對準段，以形成周向邊緣經OPC修正的半導體標記。

在本發明的一個實施例中，對準段包括經OPC修正的原始邊緣和未經OPC修正的裁剪邊緣；

其中，多個對準段的相應的裁剪邊緣相拼接以形成半導體標記。

在本發明的一個實施例中，多個對準段包括：

第一對準段，第一對準段包括一個裁剪邊緣；

第二對準段，第二對準段包括一個裁剪邊緣，第一對準段與第二對準段相對接以形成第一半導體標記；

其中，第一對準段和第二對準段通過裁剪圖形相對的兩側獲得。

在本發明的一個實施例中，形成第一半導體標記后，半導體標記制作方法還包括：

將第一半導體標記依次裁剪為第一段、第二段以及第三段；

對接第一段和第三段，以形成第二半導體標記。

在本發明的一個實施例中，形成第一半導體標記后，半導體標記制作方法還包括：

將第一半導體標記裁剪為第一段和第二段；

將第一段和第二段相對且間隔設置，以形成第一填充區域；

在第一填充區域內填充第一補償圖形段，以形成第三半導體標記；

其中，第一補償圖形段在填充之前經OPC修正，或第一補償圖形段在填充之后經OPC修正。

在本發明的一個實施例中，多個獨立的對準段包括：

第一對準段，第一對準段包括一個裁剪邊緣；

第二對準段，第二對準段包括一個裁剪邊緣；

將第一對準段和第二對準段相對且間隔設置，以形成第二填充區域；

在第二填充區域內填充第二補償圖形段，以形成第四半導體標記；

其中，將圖形由中部剪開以獲得第一對準段和第二對準段，第二補償圖形段在填充之前經OPC修正，或第二補償圖形段在填充之后經OPC修正。

在本發明的一個實施例中，多個獨立的對準段包括：

第一對準段，第一對準段包括兩個裁剪邊緣；