[發明專利]半導體標記制作方法及半導體標記

有效

• 申請號: 202110016542.8
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112864023B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 單闖
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/544
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

1.一種半導體標記制作方法，其特征在于，包括：

提供周向邊緣經OPC修正后的圖形；

在所述圖形上裁剪出多個獨立的對準段，所述對準段包括經OPC修正的原始邊緣和未經OPC修正的裁剪邊緣；

拼接多個所述對準段，以形成周向邊緣經OPC修正的半導體標記；

其中，多個所述對準段的相應的所述裁剪邊緣相拼接以形成所述半導體標記。

2.根據權利要求1所述半導體標記制作方法，其特征在于，多個所述對準段包括：

第一對準段，所述第一對準段包括一個所述裁剪邊緣；

第二對準段，所述第二對準段包括一個所述裁剪邊緣，所述第一對準段與所述第二對準段相對接以形成第一半導體標記；

其中，所述第一對準段和所述第二對準段通過裁剪所述圖形相對的兩側獲得。

3.根據權利要求2所述半導體標記制作方法，其特征在于，形成所述第一半導體標記后，所述半導體標記制作方法還包括：

將所述第一半導體標記依次裁剪為第一段、第二段以及第三段；

對接所述第一段和所述第三段，以形成第二半導體標記。

4.根據權利要求2所述半導體標記制作方法，其特征在于，形成所述第一半導體標記后，所述半導體標記制作方法還包括：

將所述第一半導體標記裁剪為第一段和第二段；

將所述第一段和所述第二段相對且間隔設置，以形成第一填充區域；

在所述第一填充區域內填充第一補償圖形段，以形成第三半導體標記；

其中，所述第一補償圖形段在填充之前經OPC修正，或所述第一補償圖形段在填充之后經OPC修正。

5.根據權利要求1所述半導體標記制作方法，其特征在于，多個獨立的對準段包括：

第一對準段，所述第一對準段包括一個所述裁剪邊緣；

第二對準段，所述第二對準段包括一個所述裁剪邊緣；

將所述第一對準段和所述第二對準段相對且間隔設置，以形成第二填充區域；

在所述第二填充區域內填充第二補償圖形段，以形成第四半導體標記；

其中，將所述圖形由中部剪開以獲得所述第一對準段和所述第二對準段，所述第二補償圖形段在填充之前經OPC修正，或所述第二補償圖形段在填充之后經OPC修正。

6.根據權利要求1所述半導體標記制作方法，其特征在于，多個獨立的對準段包括：

第一對準段，所述第一對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

第二對準段，所述第二對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

第三對準段，所述第三對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

第四對準段，所述第四對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

將所述第一對準段、所述第二對準段、所述第三對準段以及所述第四對準段相對接，以形成第五半導體標記，所述第五半導體標記的面積小于所述圖形的面積；

其中，所述第一對準段、所述第二對準段、所述第三對準段以及所述第四對準段通過裁剪所述圖形的四個對角獲得。

7.根據權利要求1所述半導體標記制作方法，其特征在于，多個獨立的對準段包括：

第一對準段，所述第一對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

第二對準段，所述第二對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

第三對準段，所述第三對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

第四對準段，所述第四對準段包括兩個所述裁剪邊緣；

將所述第一對準段、所述第二對準段、所述第三對準段以及所述第四對準段相對接，以形成第五半導體標記，所述第五半導體標記的面積小于所述圖形的面積；

其中，將所述圖形沿相垂直的兩個方向裁剪為四部分，然后分別進行二次裁剪以獲得所述第一對準段、所述第二對準段、所述第三對準段以及所述第四對準段。