[發明專利]一種磁吸式MicroLED巨量轉移結構及方法

有效

• 申請號: 202110016028.4
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112635400B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 劉巍巍
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L25/16
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本申請實施例提供一種磁吸式MicroLED巨量轉移結構，包括：基底，基底的一面上制備有LED芯片陣列，LED芯片陣列的每個電極上設置有第一導電粘接劑層和第一軟磁材料層；以及目標電路基板，目標電路基板的一面上設置有第二導電粘接劑層陣列和第二軟磁材料層陣列；第一導電粘接劑層與第二導電粘接劑層一一對應，第一軟磁材料層與第二軟磁材料層一一對應，LED芯片陣列和目標電路基板可通過第一導電粘接劑層和第二導電粘接劑層利用熱壓工藝進行綁定連接；第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的居里溫度低于熱壓工藝的加熱溫度。本申請實施例MicroLED巨量轉移的定位精確，工藝簡單易行，能夠完成巨量轉移釋放需求。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種磁吸式MicroLED巨量轉移結構及方法。

背景技術

Micro-LED(微型發光二極管)發展成未來顯示技術的熱點之一，和目前的LCD(液晶顯示器)、OLED(有機發光半導體顯示器)件相比，具有反應快、高色域、高像素數目、低能耗等優勢；但其技術難點多且技術復雜，特別是其關鍵技術巨量轉移技術。

巨量轉移要求是把微米級別的、幾十萬甚至上百萬的LED(發光二極管)晶圓芯片精確地從施主晶圓上分裂出來有序地轉移至目標基板上。目前的轉移方式主要有范德華力、靜電吸附、激光燒蝕、流體裝配等方式，但存在工藝復雜、定位不精確的問題。

發明內容

本申請實施例提供一種磁吸式MicroLED巨量轉移結構及方法，用于解決現有技術中存在的MicroLED巨量轉移工藝復雜、定位不精確的問題。

本申請實施例提供一種磁吸式MicroLED巨量轉移結構，包括：

基底，所述基底的一面上制備有LED芯片陣列，所述LED芯片陣列的每個電極上設置有第一導電粘接劑層和第一軟磁材料層；以及

目標電路基板，所述目標電路基板的一面上設置有第二導電粘接劑層陣列和第二軟磁材料層陣列；

所述第一導電粘接劑層與第二導電粘接劑層一一對應，所述第一軟磁材料層與第二軟磁材料層一一對應，所述LED芯片陣列和所述目標電路基板可通過所述第一導電粘接劑層和第二導電粘接劑層利用熱壓工藝進行綁定連接；

所述第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的居里溫度低于所述熱壓工藝的加熱溫度。

進一步地，所述目標電路基板的一面上設置有焊盤陣列，所述第二導電粘接劑層陣列和第二軟磁材料層陣列分別設置在所述焊盤陣列上。

進一步地，所述第一軟磁材料層疊置在所述電極上，所述第一導電粘接劑層疊置在所述電極上并包裹所述第一軟磁材料層；

所述第二軟磁材料層疊置在所述焊盤上，所述第二導電粘接劑層疊置在所述焊盤上并包裹所述第二軟磁材料層。

進一步地，所述第一導電粘接劑層和第二導電粘接劑層的材質均為錫。

進一步地，所述第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的居里溫度均低于錫的熔點。

進一步地，所述第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的居里溫度均低于230℃。

進一步地，所述第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的材質為鐵硅合金或軟磁鐵氧體。

進一步地，LED芯片的尺寸為1～30微米。

本申請實施例還提供一種磁吸式MicroLED巨量轉移方法，采用上述磁吸式MicroLED巨量轉移結構，該方法包括下述步驟：

S10、將所述基底與目標電路基板上下間隔設置，使所述第一導電粘接劑層和第一軟磁材料層分別與所述第二導電粘接劑層和第二軟磁材層一一正對；