[發(fā)明專利]一種磁吸式MicroLED巨量轉移結構及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110016028.4
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112635400B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設計）人: 劉巍巍
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L25/16
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種磁吸式MicroLED巨量轉移方法，采用磁吸式MicroLED巨量轉移結構，所述磁吸式MicroLED巨量轉移結構包括：基底，所述基底的一面上制備有LED芯片陣列，所述LED芯片陣列的每個電極上設置有第一導電粘接劑層和第一軟磁材料層；以及目標電路基板，所述目標電路基板的一面上設置有第二導電粘接劑層陣列和第二軟磁材料層陣列；所述第一導電粘接劑層與第二導電粘接劑層一一對應，所述第一軟磁材料層與第二軟磁材料層一一對應，所述LED芯片陣列和所述目標電路基板可通過所述第一導電粘接劑層和第二導電粘接劑層利用熱壓工藝進行綁定連接；所述第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的居里溫度低于所述熱壓工藝的加熱溫度，其特征在于，該方法包括下述步驟：

S10、將所述基底與目標電路基板上下間隔設置，使所述第一導電粘接劑層和第一軟磁材料層分別與所述第二導電粘接劑層和第二軟磁材層一一正對；

S20、施加磁場使所有所述第一軟磁材料層和第二軟磁材層磁化，同時相鄰的第一軟磁材料層磁性相反，相鄰的第二軟磁材料層磁性相反，正對的第一軟磁材料層和第二軟磁材層磁性相反；

S30、激光照射所述基底和LED芯片陣列，使所有LED芯片從所述基底剝離；

S40、在第一軟磁材料層和第二軟磁材層磁力的作用下，正對的第一導電粘接劑層和第二導電粘接劑層分別對準連接；

S50、移去電場，采用熱壓工藝使正對的第一導電粘接劑層和第二導電粘接劑層分別綁定連接，同時在熱壓工藝的加熱作用下，第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的溫度達到居里溫度，第一軟磁材料層和第二軟磁材料層的磁性消失；

S60、MicroLED巨量轉移完成；

所述步驟S20中，在所述基底的另一面給每兩列第一軟磁材料層中間提供第一電流，在所述目標電路基板的另一面給每兩列第二軟磁材料層中間提供第二電流，所述第一電流和第二電流的方向相反，由電磁效應產生磁場使所有所述第一軟磁材料層和第二軟磁材層磁化，同時相鄰的第一軟磁材料層磁性相反，相鄰的第二軟磁材料層磁性相反，正對的第一軟磁材料層和第二軟磁材層磁性相反。