[發明專利]一種新型封裝結構及其制造方法在審
| 申請號: | 202110015602.4 | 申請日: | 2021-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN114744004A | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 孫智江;王書昶;吳陸 | 申請(專利權)人: | 海迪科(南通)光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L21/78;H01L33/54;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇省南通*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
本發明涉及一種新型封裝結構及其制作方法,包括芯片,所述芯片的外表面包覆有外封裝層,所述外封裝層包括設置在芯片頂面的頂部封裝層以及設置在芯片側面的側部封裝層,其特征在于:所述側部封裝層的底面高于芯片的底面。本發明優點是:外封裝層中位于芯片側面的側部封裝層底面高于芯片的底面2μm,在芯片焊接時,由于芯片底面外圍沒有其他材料,熔融的錫膏能夠更好的連接基板與芯片結合,焊接后推拉力不受影響,芯片不易脫落。
技術領域
本發明涉及一LED封裝結構,特別涉及一種焊接后推拉力高的新型封裝結構,還涉及該封裝結構的制造方法。
背景技術
芯片級封裝(CSP,Chip Scale Package),這種封裝方式是最近幾年基于倒裝芯片技術的發展應運而生的,在2015年之后出現商業化量產。封裝技術的發展具體可參考文獻:王杰田,LED封裝技術的現狀與發展[J],科技創新與應用,2017(12):42。
CSP光源是指采用CSP封裝技術的一類LED器件,其核心是CSP光源采用熒光粉或熒光膠體膜包裹住倒裝芯片結構,免除了傳統LED光源的大部分封裝步驟和結構,使得封裝體尺寸減小至原來的1/5到1/10。但是,常規CSP光源技術往往是將晶圓切割裂片后,通過對發光芯片分選重排后再進行熒光粉或熒光膠體壓膜以及噴涂等后續工藝,形成的CSP外封裝層最下沿底面與芯片的電極底面在同一平面上,這樣的封裝結構會在后續的CSP封裝體貼裝過程中導致焊接推拉力下降,嚴重影響CSP封裝器件的工作可靠性。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種焊接后推拉力高的新型封裝結構,還提供一種制造該新型封裝結構的方法。
為解決上述技術問題,本發明的技術方案為:一種新型封裝結構,包括芯片,所述芯片的外表面包覆有外封裝層,所述外封裝層包括設置在芯片頂面的頂部封裝層以及設置在芯片側面的側部封裝層,其創新點在于:所述芯片側面中至少一側的側部封裝層底面高于芯片的底面2μm,且不高于芯片高度的一半。
優選的,芯片的底面設置有向下突出底面的電極,所述外封裝層的底面與側面以及芯片的底面與側面底部均被包覆有反射層,所述反射層中心底部具有兩個電極露出的電極通道。
優選的,所述芯片的底部外圍設置有緊貼芯片側壁的犧牲層,該犧牲層的高度不高于芯片高度的一半;所述外封裝層的側部封裝層設置在犧牲層的上表面。
優選的,所述犧牲層的厚度自芯片中心向外側逐漸減小。
還提供一種制作上述新型封裝結構的方法,其創新點在于:所述方法為:
S1:首先對制作芯片的晶圓進行劃片、裂片,再進行擴膜,使得晶圓分裂成若干個獨立的芯片,且相鄰的芯片之間存在一個間隙;
S2:然后進行倒膜,將各芯片間隔排布在一個底板上形成一個芯片陣列;
S3:通過噴涂、點膠或印刷的方式,在芯片陣列中各相鄰芯片之間的間隙中填充緊貼芯片側面的犧牲層并烘干,控制烘干后的犧牲層厚度不小于2μm,且不高于芯片高度的一半;
S4:再在整個芯片陣列的表面整體噴涂封裝材料,使得封裝材料填充在犧牲層上表面的相鄰芯片之間以及芯片上表面,并對封裝材料進行固化形成外封裝層;
S5:再次進行倒膜,使得外封裝層的表面貼于另一底板上,露出芯片陣列底部的犧牲層,并通過化學清洗的方式去除掉犧牲層;
S6:對芯片陣列進行切割,得到的芯片外側壁中上部以及頂部包覆有外封裝層的封裝結構。
進一步的,所述犧牲層的材料為硅膠或聚酰亞胺。
進一步的,所述犧牲層位于芯片的兩個側面,或位于芯片的四個側面。
進一步的,所述制作方法還包括
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





