[發(fā)明專利]一種新型封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110015602.4
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN114744004A
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫智江;王書昶;吳陸
• 申請（專利權(quán)）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/78;H01L33/54;H01L33/60
• 代理公司: 北京一格知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種新型封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片，所述芯片的外表面包覆有外封裝層，所述外封裝層包括設(shè)置在芯片頂面的頂部封裝層以及設(shè)置在芯片側(cè)面的側(cè)部封裝層，其特征在于：所述芯片側(cè)面中至少一側(cè)的側(cè)部封裝層底面高于芯片的底面2μm，且不高于芯片高度的一半。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述芯片的底面設(shè)置有向下突出底面的電極，所述外封裝層的底面與側(cè)面以及芯片的底面與側(cè)面底部均被包覆有反射層，所述反射層中心底部具有兩個電極露出的電極通道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述芯片的底部外圍設(shè)置有緊貼芯片側(cè)壁的犧牲層，該犧牲層的高度不高于芯片高度的一半；

所述外封裝層的側(cè)部封裝層設(shè)置在犧牲層的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：

所述犧牲層的厚度自芯片中心向外側(cè)逐漸減小。

5.一種制作權(quán)利要求1所述新型封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：所述方法為：

S1：首先對制作芯片的晶圓進行劃片、裂片，再進行擴膜，使得晶圓分裂成若干個獨立的芯片，且相鄰的芯片之間存在一個間隙；

S2：然后進行倒膜，將各芯片間隔排布在一個底板上形成一個芯片陣列；

S3：通過噴涂、點膠或印刷的方式，在芯片陣列中各相鄰芯片之間的間隙中填充緊貼芯片側(cè)面的犧牲層并烘干，控制烘干后的犧牲層厚度不小于2μm，且不高于芯片高度的一半；

S4：再在整個芯片陣列的表面整體噴涂封裝材料，使得封裝材料填充在犧牲層上表面的相鄰芯片之間以及芯片上表面，并對封裝材料進行固化形成外封裝層；

S5：再次進行倒膜，使得外封裝層的表面貼于另一底板上，露出芯片陣列底部的犧牲層，并通過化學清洗的方式去除掉犧牲層；

S6：對芯片陣列進行切割，得到的芯片外側(cè)壁中上部以及頂部包覆有外封裝層的封裝結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作新型封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：

所述犧牲層的材料為硅膠或聚酰亞胺。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作新型封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：

所述犧牲層位于芯片的兩個側(cè)面，或位于芯片的四個側(cè)面。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作新型封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：

所述制作方法還包括

S7：芯片的底面具有向下突出的電極，將至少一顆芯片作為芯片單元焊接在基板上，使得芯片的底面與基板之間以及外封裝層的底面與基板之間留有一個填充縫隙；

S8：在填充間隙以及外封裝層的側(cè)面外圍填充反射材料，并進行固化，得到具有反射層的封裝結(jié)構(gòu)。