[發(fā)明專(zhuān)利]集成芯片及其設(shè)計(jì)和制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110014641.2
• 申請(qǐng)日: 2021-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113284886A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張永豐;楊寶如;張育榮;李宗吉;謝東衡;許峻嘉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;G06F30/392
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成芯片，包括：

半導(dǎo)體襯底，包括第一有源器件區(qū)、第二有源器件區(qū)以及在所述第一有源器件區(qū)和所述第二有源器件區(qū)之間延伸的偽器件區(qū)；

線性部件的第一陣列，在所述第一有源器件區(qū)上方延伸并且具有第一線間距和第一線寬度；

線性部件的第二陣列，在所述第二有源器件區(qū)上方延伸并且具有第二線間距和第二線寬度；以及

偽器件結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述偽器件區(qū)上并且在所述偽器件區(qū)的相當(dāng)部分上方延伸；

其中，所述偽器件結(jié)構(gòu)是具有所述第一線間距和所述第一線寬度的線性部件的第三陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一陣列中的所述線性部件和所述第三陣列中的所述線性部件設(shè)置在線的偽網(wǎng)格上，所述線的偽網(wǎng)格的節(jié)距等于所述第一陣列中的所述線性部件的節(jié)距。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中：

所述第二線間距不同于所述第一線間距；

所述第二線寬度不同于所述第一線寬度；并且

所述偽器件結(jié)構(gòu)比至所述線性部件的所述第二陣列更靠近所述線性部件的所述第一陣列。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中：

所述偽器件結(jié)構(gòu)的所述線性部件的第一部分位于所述第一陣列的所述線性部件的一側(cè)；并且

所述第一部分中的所述線性部件中的一個(gè)與所述第一陣列間隔開(kāi)所述第一線寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中：

所述偽器件結(jié)構(gòu)的所述線性部件的第一部分位于所述第一陣列的所述線性部件的一側(cè)；并且

所述偽器件結(jié)構(gòu)的所述線性部件的第二部分與所述第一陣列的所述線性部件端對(duì)端對(duì)準(zhǔn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中，所述偽器件結(jié)構(gòu)的一些所述線性部件與所述第一陣列的所述線性部件端對(duì)端對(duì)準(zhǔn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中，所述線性部件的所述第三陣列中的線性部件數(shù)為八或更多。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中，所述偽器件結(jié)構(gòu)跨越所述第一有源器件區(qū)和所述第二有源器件區(qū)之間的距離的一半或更多。

9.一種設(shè)計(jì)集成芯片的方法，包括：

生成包括氧化物限定掩模的集成電路布局文件，其中，所述氧化物限定掩模限定包括第一有源器件區(qū)的有源器件區(qū)；

將線性部件的第一陣列添加到所述集成電路布局文件，其中，所述線性部件的所述第一陣列在所述第一有源器件區(qū)上方延伸；以及

將偽填充物插入所述集成電路布局文件中；

其中，所述偽填充物位于所述有源器件區(qū)外部；

所述偽填充物包括線性部件的第二陣列；

所述線性部件的所述第二陣列具有與所述線性部件的所述第一陣列相同的節(jié)距；并且

所述線性部件的所述第二陣列與所述線性部件的所述第一陣列在網(wǎng)格上。

10.一種制造集成芯片的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)，以限定由偽器件區(qū)分隔開(kāi)的多個(gè)有源器件區(qū)，所述偽器件區(qū)是位于所述有源器件區(qū)外部的所述半導(dǎo)體襯底的部分；

在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成多段線的連續(xù)陣列，其中，所述多段線的所述連續(xù)陣列的第一部分在所述多個(gè)有源器件區(qū)中的一個(gè)上方延伸，并且所述多段線的所述連續(xù)陣列的第二部分在所述偽器件區(qū)上方延伸，所述第二部分是所述多段線的所述連續(xù)陣列的相當(dāng)部分；

形成與所述多段線的所述連續(xù)陣列的所述第一部分的有源器件連接；以及

由所述多段線的所述連續(xù)陣列的所述第二部分形成偽器件結(jié)構(gòu)。