[發明專利]3D存儲器件及其讀取方法

有效

• 申請號: 202110013950.8
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112614531B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 程婷;劉紅濤;靳磊;趙向南;謝學準;夏仕鈺;閔園園
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/34;G11C5/14;G11C7/18;G11C8/14
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 岳丹丹

1.一種3D存儲器件的讀取方法，所述3D存儲器件包括多個存儲單元串，每個存儲單元串包括多個存儲單元，每個存儲單元串最頂部存儲單元連接至頂部選擇管，所述頂部選擇管連接至位線，存儲單元串最底部的存儲單元連接至底部選擇管，其特征在于，包括：

根據編程順序對一存儲單元串的多個存儲單元依次進行編程；

對一個存儲單元進行讀取操作時，根據所述存儲單元的編程順序向存儲單元串施加不同的位線電壓；

其中，所述存儲單元的編程順序越靠前，讀取操作時向存儲單元串上施加的位線電壓越大。

2.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，還包括：

根據一存儲單元串的多個存儲單元的編程順序，將多個存儲單元劃分成第一存儲組、第二存儲組和第三存儲組，其中，第一存儲組最先編程、第二存儲組中間編程、第三存儲組最后編程；讀取操作選中的存儲單元位于第一存儲組時，向存儲單元串上施加第一位線電壓；

讀取操作選中的存儲單元位于第二存儲組時，向存儲單元串上施加第二位線電壓；

讀取操作選中的存儲單元位于第三存儲組時，向存儲單元串上施加第三位線電壓；

第一位線電壓、第二位線電壓和第三位線電壓的幅值不同。

3.根據權利要求2所述的讀取方法，其特征在于，第一位線電壓大于第二位線電壓，第二位線電壓大于第三位線電壓。

4.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，當所述編程順序為正向編程順序時，從與底部選擇管相鄰的存儲單元向與頂部選擇管相鄰的存儲單元依次編程。

5.根據權利要求4所述的讀取方法，其特征在于，讀取操作選中的存儲單元越靠近底部選擇管，向存儲單元串上施加的位線電壓越大。

6.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，當所述編程順序為逆向編程順序時，從與頂部選擇管相鄰的存儲單元向與底部選擇管相鄰的存儲單元依次編程。

7.根據權利要求6所述的讀取方法，其特征在于，讀取操作選中的存儲單元越靠近頂部選擇管，向存儲單元串上施加的位線電壓越大。

8.一種3D存儲器件，其特征在于，包括：

存儲單元陣列，包括多個存儲單元串，各存儲單元串包括多個存儲單元，每個存儲單元串最頂部存儲單元連接至頂部選擇管，所述頂部選擇管連接至位線，存儲單元串最底部的存儲單元連接至底部選擇管；

控制器，與所述存儲單元陣列電連接，用于根據編程順序對一存儲單元串的多個存儲單元依次進行編程；對一個存儲單元進行讀取操作時，根據所述存儲單元的編程順序向存儲單元串施加不同的位線電壓；

其中，所述存儲單元的編程順序越靠前，所述控制器對所述存儲單元進行讀取操作時向存儲單元串上施加的位線電壓越大。

9.根據權利要求8所述的3D存儲器件，其特征在于，所述控制器還用于：

根據一存儲單元串的多個存儲單元的編程順序，將多個存儲單元劃分成第一存儲組、第二存儲組和第三存儲組，其中，第一存儲組最先編程、第二存儲組中間編程、第三存儲組最后編程；讀取操作選中的存儲單元位于第一存儲組時，向存儲單元串上施加第一位線電壓；

讀取操作選中的存儲單元位于第二存儲組時，向存儲單元串上施加第二位線電壓；

讀取操作選中的存儲單元位于第三存儲組時，向存儲單元串上施加第三位線電壓；

第一位線電壓、第二位線電壓和第三位線電壓的幅值不同。

10.根據權利要求9所述的3D存儲器件，其特征在于，第一位線電壓大于第二位線電壓，第二位線電壓大于第三位線電壓。

11.根據權利要求8所述的3D存儲器件，其特征在于，當所述編程順序為正向編程順序時，所述控制器從與底部選擇管相鄰的存儲單元向與頂部選擇管相鄰的存儲單元依次編程。