[發明專利]一種硅片減薄凈化工件及采用該工件的減薄凈化工藝

在審

• 申請號: 202110012997.2
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112792729A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 劉姣龍;劉建偉;劉園;武衛;由佰玲;裴坤羽;孫晨光;王彥君;祝斌;常雪巖;楊春雪;謝艷;袁祥龍;張宏杰;劉秒;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: B24B37/34
• 分類號: B24B37/34;B24B55/00;B08B7/00;B08B13/00;H01L21/304
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發明提供一種硅片減薄凈化工件，用于凈化放置臺面靠近被磨硅片的一側面，包括基片及置于所述基片一側的吸附層；所述基片側面與所述吸附層連接設置，且其結構與所述吸附層相適配；所述吸附層遠離所述基片一側為平面，且其面積不小于被磨所述硅片的面積，并所述吸附層遠離所述基片一側具有粘性。本發明還提出一種采用該工件的減薄凈化工藝。本發明減薄凈化工件，結構簡單且易于操作，可快速與放置被磨硅片的臺面配合，經過空置旋轉一段時間后，即可完全將臺面上的磨削顆粒吸附走，同時還可吸附臺面上其它硅粉顆粒，完全凈化臺面與被磨硅片接觸的表面，保證臺面潔凈度，提高晶片研磨質量，提高研磨效率。

技術領域

本發明屬于半導體硅片加工技術領域，尤其是涉及一種硅片減薄凈化工件及采用該工件的減薄凈化工藝。

背景技術

在半導體硅片減薄過程中，由于長時間磨削硅片，導致在臺面邊緣由于砂輪與硅片的磨損，導致硅片表面的幾何參數呈現塌邊的情況，就是晶片邊緣相對于晶片中間位置的磨損程度較大；而且發現與臺面接觸的硅片的那一面出現有劃傷現象。經檢查發現，臺面存在大量的陶瓷孔，在研磨過程中，這些磨損的顆粒雜質會進入陶瓷孔中，還有一部分黏附于臺面表面。而在硅片減薄中，要盡可能降低臺面上的顆粒度，避免顆粒劃傷硅片表面，使硅片表面質量劃傷或損傷嚴重。故需要定期對臺面上的顆粒雜質進行凈化清潔，以保持臺面的潔凈度，保證硅片磨削質量。

現有的清潔方法是直接向陶瓷孔鼓泡，并調大陶瓷孔鼓泡時的氣壓，使里面顆粒雜質盡快排泄出來，再使用油石打磨臺面，最后再使用刀片將表面的顆粒一次次刮掉，但這種方法清潔不干凈，容易使已經被清潔的陶瓷孔被正在被清除的顆粒雜質填充，不僅清潔步驟繁瑣，耗時長，而且清潔效率低，清潔效果差，嚴重制約生產進度。

發明內容

本發明提供一種硅片減薄凈化工件及采用該工件的減薄凈化工藝，尤其是適用于半導體硅片減薄生產，解決了現有技術中減薄臺面容易殘存磨削顆粒，導致硅片表面容易被顆粒劃傷的技術問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：

一種硅片減薄凈化工件，用于凈化放置臺面靠近被磨硅片的一側面，包括基片及置于所述基片一側的吸附層；所述基片側面與所述吸附層連接設置，且其結構與所述吸附層相適配；所述吸附層遠離所述基片一側為平面，且其面積不小于被磨所述硅片的面積，并所述吸附層遠離所述基片一側具有粘性。

優選地，所述吸附層為圓形結構，且其直徑小于所述臺面直徑。

優選地，所述吸附層厚度小于所述基片厚度，所述吸附層厚度為30-100um。

優選地，所述基片厚度為700-1000um。

優選地，所述基片為圓形，且其直徑與被磨所述硅片相同；所述吸附層直徑與所述基片直徑相同。

一種減薄凈化工藝，采用如上任一項所述的凈化工件，步驟包括：放置所述工件于所述臺面上，并使所述工件與所述臺面同心設置，且使所述吸附層與所述臺面緊貼設置；執行所述臺面帶動所述工件旋轉一定時間，以清除所述臺面表面上粘附的顆粒雜質及硅粉。

優選地，當連續研磨所述硅片一定時間后，執行如上所述的步驟，并使所述工件被旋轉至少1-3h。

優選地，當更換研磨所述硅片的砂輪后，執行如上所述的步驟，并使所述工件被旋轉至少1-3h。

優選地，當修正所述臺面后，執行如上所述的步驟，并使所述工件被旋轉至少10-14h。

優選地，控制所述臺面旋轉的方向與被磨所述硅片時所述臺面旋轉的方向一致；且所述臺面旋轉的速率與被磨所述硅片時所述臺面旋轉的速率相同。