[發明專利]一種硅片減薄凈化工件及采用該工件的減薄凈化工藝

在審

• 申請號: 202110012997.2
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112792729A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 劉姣龍;劉建偉;劉園;武衛;由佰玲;裴坤羽;孫晨光;王彥君;祝斌;常雪巖;楊春雪;謝艷;袁祥龍;張宏杰;劉秒;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: B24B37/34
• 分類號: B24B37/34;B24B55/00;B08B7/00;B08B13/00;H01L21/304
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種硅片減薄凈化工件，用于凈化放置臺面靠近被磨硅片的一側面，其特征在于，包括基片及置于所述基片一側的吸附層；所述基片側面與所述吸附層連接設置，且其結構與所述吸附層相適配；所述吸附層遠離所述基片一側為平面，且其面積不小于被磨所述硅片的面積，并所述吸附層遠離所述基片一側具有粘性。

2.根據權利要求1所述的一種硅片減薄凈化工件，其特征在于，所述吸附層為圓形結構，且其直徑小于所述臺面直徑。

3.根據權利要求1或2所述的一種硅片減薄凈化工件，其特征在于，所述吸附層厚度小于所述基片厚度，所述吸附層厚度為30-100um。

4.根據權利要求3所述的一種硅片減薄凈化工件，其特征在于，所述基片厚度為700-1000um。

5.根據權利要求1-3、4任一項所述的一種硅片減薄凈化工件，其特征在于，所述基片為圓形，且其直徑與被磨所述硅片相同；所述吸附層直徑與所述基片直徑相同。

6.一種減薄凈化工藝，其特征在于，采用如權利要求1-6任一項所述的凈化工件，步驟包括：放置所述工件于所述臺面上，并使所述工件與所述臺面同心設置，且使所述吸附層與所述臺面緊貼設置；執行所述臺面帶動所述工件旋轉一定時間，以清除所述臺面表面上粘附的顆粒雜質及硅粉。

7.根據權利要求6所述的一種減薄凈化工藝，其特征在于，當連續研磨所述硅片一定時間后，執行如權利要求6所述的步驟，并使所述工件被旋轉至少1-3h。

8.根據權利要求7所述的一種減薄凈化工藝，其特征在于，當更換研磨所述硅片的砂輪后，執行如權利要求6所述的步驟，并使所述工件被旋轉至少1-3h。

9.根據權利要求8所述的一種減薄凈化工藝，其特征在于，當修正所述臺面后，執行如權利要求6所述的步驟，并使所述工件被旋轉至少10-14h。

10.根據權利要求7-9任一項所述的一種減薄凈化工藝，其特征在于，控制所述臺面旋轉的方向與被磨所述硅片時所述臺面旋轉的方向一致；且所述臺面旋轉的速率與被磨所述硅片時所述臺面旋轉的速率相同。