[發(fā)明專(zhuān)利]晶圓對(duì)中裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110012806.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112635380A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邊曉東;馬雪婷;劉豫東;劉建民;王洪建 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備研究所(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/68 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李翠 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶圓對(duì)中裝置,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,包括沿著預(yù)定方向間隔布置的第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件;調(diào)整部,分別形成于所述第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和所述第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件;所述第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件所包括的所述調(diào)整部和所述所述第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件所包括的所述調(diào)整部分別對(duì)應(yīng),以形成調(diào)整組;n個(gè)調(diào)整組分別對(duì)應(yīng)待定位的n個(gè)規(guī)格晶圓,其中,n大于或者等于2,且n為整數(shù)。本申請(qǐng)?zhí)峁┑木A對(duì)中裝置,n個(gè)調(diào)整組分別對(duì)應(yīng)待定位的n個(gè)規(guī)格晶圓,且n大于或者等于2,如此能夠?qū)Χ喾N規(guī)格的晶圓進(jìn)行高效定位,而無(wú)需對(duì)第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件進(jìn)行更換,提高了生產(chǎn)效率,避免了繁瑣的拆裝過(guò)程。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種晶圓對(duì)中裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體晶圓制造的過(guò)程中,通常采用自動(dòng)化設(shè)備實(shí)施工藝流程,例如在一些需要轉(zhuǎn)運(yùn)晶圓的場(chǎng)合,采用機(jī)械手對(duì)晶圓進(jìn)行轉(zhuǎn)運(yùn)。
例如,在晶圓全程清洗過(guò)程中,可以采用機(jī)械手抓取晶圓,進(jìn)行晶圓的傳輸。在晶圓傳輸過(guò)程中,晶圓的位置坐標(biāo)是關(guān)鍵的。如果晶圓的位置出現(xiàn)偏差,那么機(jī)械手將可能無(wú)法實(shí)施對(duì)晶圓的取放,甚至導(dǎo)致晶圓或者機(jī)械手損壞。
因此需要對(duì)晶圓進(jìn)行定位。但是現(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)晶圓進(jìn)行定位的設(shè)備的功能往往較為單一,通常只能對(duì)固定規(guī)格的晶圓進(jìn)行定位,這些定位設(shè)備的參與對(duì)晶圓定位的部分通常設(shè)置為可拆卸的,通過(guò)更換不同型號(hào)的參與對(duì)晶圓定位的部分來(lái)適應(yīng)不同規(guī)格的晶圓,拆裝過(guò)程較為繁瑣,且降低了生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的目的在于提供一種晶圓對(duì)中裝置,以對(duì)多種規(guī)格的晶圓進(jìn)行高效定位。
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓對(duì)中裝置,所述晶圓對(duì)中裝置包括:
沿著預(yù)定方向間隔布置的第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件;
調(diào)整部,分別形成于所述第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和所述第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件;
所述第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件所包括的所述調(diào)整部和所述第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件所包括的所述調(diào)整部分別對(duì)應(yīng),以形成調(diào)整組;
n個(gè)所述調(diào)整組分別對(duì)應(yīng)待定位的n個(gè)規(guī)格晶圓,其中,n大于或者等于2,且n為整數(shù)。
優(yōu)選地,所述調(diào)整部形成為階梯形狀。
優(yōu)選地,定義第一個(gè)所述調(diào)整組包括分別形成于所述第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和所述第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件的兩個(gè)第一調(diào)整部,所述第一調(diào)整部包括:
第一定位表面,用于對(duì)所述晶圓施加力的作用以對(duì)所述晶圓定位;
第一分界表面,所述第一定位表面的下端截止于所述第一分界表面。
優(yōu)選地,定義第m個(gè)所述調(diào)整組包括分別形成于所述第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和所述第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件的兩個(gè)第m調(diào)整部,所述第m調(diào)整部包括:
第m定位表面,用于對(duì)所述晶圓施加力的作用以對(duì)所述晶圓定位,并且上端截止于第m-1分界表面;
第m分界表面,所述第m定位表面的下端截止于所述第m分界表面;
其中,m大于1,且m小于或者等于n,m為整數(shù)。
優(yōu)選地,所述第一定位表面和所述第m定位表面分別形成為和與所述第一定位表面和所述第m定位表面分別對(duì)應(yīng)的所述晶圓相適配的弧面。
優(yōu)選地,所述第一對(duì)中調(diào)整構(gòu)件和所述第二對(duì)中調(diào)整構(gòu)件形成所述調(diào)整部的一側(cè)均被定義為工作側(cè);
所述第一定位表面和所述第m定位表面中的至少一者的在水平方向上的兩端分別截止于與所述工作側(cè)在水平方向上相鄰的兩個(gè)側(cè)部;
與所述至少一者對(duì)應(yīng)的分界表面的在水平方向上的兩端分別截止于與所述工作側(cè)在水平方向上相鄰的兩個(gè)側(cè)部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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