[發明專利]晶圓對中裝置在審
| 申請號: | 202110012806.2 | 申請日: | 2021-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN112635380A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 邊曉東;馬雪婷;劉豫東;劉建民;王洪建 | 申請(專利權)人: | 北京半導體專用設備研究所(中國電子科技集團公司第四十五研究所) |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李翠 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種晶圓對中裝置,其特征在于,所述晶圓對中裝置包括:
沿著預定方向間隔布置的第一對中調整構件和第二對中調整構件;
調整部,分別形成于所述第一對中調整構件和所述第二對中調整構件;
所述第一對中調整構件所包括的所述調整部和所述第二對中調整構件所包括的所述調整部分別對應,以形成調整組;
n個所述調整組分別對應待定位的n個規格晶圓,其中,n大于或者等于2,且n為整數。
2.根據權利要求1所述的晶圓對中裝置,其特征在于,所述調整部形成為階梯形狀。
3.根據權利要求2所述的晶圓對中裝置,其特征在于,定義第一個所述調整組包括分別形成于所述第一對中調整構件和所述第二對中調整構件的兩個第一調整部,所述第一調整部包括:
第一定位表面,用于對所述晶圓施加力的作用以對所述晶圓定位;
第一分界表面,所述第一定位表面的下端截止于所述第一分界表面。
4.根據權利要求3所述的晶圓對中裝置,其特征在于,定義第m個所述調整組包括分別形成于所述第一對中調整構件和所述第二對中調整構件的兩個第m調整部,所述第m調整部包括:
第m定位表面,用于對所述晶圓施加力的作用以對所述晶圓定位,并且上端截止于第m-1分界表面;
第m分界表面,所述第m定位表面的下端截止于所述第m分界表面;
其中,m大于1,且m小于或者等于n,m為整數。
5.根據權利要求4所述的晶圓對中裝置,其特征在于,
所述第一定位表面和所述第m定位表面分別形成為和與所述第一定位表面和所述第m定位表面分別對應的所述晶圓相適配的弧面。
6.根據權利要求4所述的晶圓對中裝置,其特征在于,
所述第一對中調整構件和所述第二對中調整構件形成所述調整部的一側均被定義為工作側;
所述第一定位表面和所述第m定位表面中的至少一者的在水平方向上的兩端分別截止于與所述工作側在水平方向上相鄰的兩個側部;
與所述至少一者對應的分界表面的在水平方向上的兩端分別截止于與所述工作側在水平方向上相鄰的兩個側部。
7.根據權利要求1所述的晶圓對中裝置,其特征在于,所述晶圓對中裝置還包括第一驅動機構,所述第一對中調整構件和所述第二對中調整構件設置于所述第一驅動機構,并被驅動以同步地彼此靠近或者遠離。
8.根據權利要求7所述的晶圓對中裝置,其特征在于,所述晶圓對中裝置還包括:
沿著所述預定方向間隔布置的第一對中限位構件和第二對中限位構件,分別用于對所述第一對中調整構件和所述第二對中調整構件限位,并設置為具有對應于n個規格所述晶圓的n個彼此間距離。
9.根據權利要求7所述的晶圓對中裝置,其特征在于,所述晶圓對中裝置還包括:
第二驅動機構,用于輸出升降運動;
安裝構件,第一端與所述第二驅動機構連接,第二端能夠延伸至所述第一對中調整構件和所述第二對中調整構件之間;
吸附構件,設置于所述安裝構件的第二端,并用于承載所述晶圓。
10.根據權利要求9所述的晶圓對中裝置,其特征在于,所述晶圓對中裝置還包括基臺,所述第一驅動機構和所述第二驅動機構均以可拆卸的方式設置于所述基臺。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





