[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備和操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110012265.3
• 申請(qǐng)日: 2021-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113160868A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 車(chē)相彥;黃柱盛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/04
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/04;G11C7/18;G11C8/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 劉虹

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，包括：

存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元行，每個(gè)存儲(chǔ)器單元行包括易失性存儲(chǔ)器單元；

錯(cuò)誤校正碼(ECC)電路；

錯(cuò)誤信息寄存器；

刷洗控制電路，被配置為計(jì)數(shù)刷新行地址，并且每當(dāng)刷洗控制電路計(jì)數(shù)N個(gè)刷新行地址時(shí)輸出刷洗地址，以控制要對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元行中的第一存儲(chǔ)器單元行中的至少一個(gè)子頁(yè)執(zhí)行的刷洗操作，N是大于2的整數(shù)；以及

控制邏輯電路，被配置為：

控制所述ECC電路以從第一存儲(chǔ)器單元行中的M個(gè)子頁(yè)順序地讀取與第一碼字相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，對(duì)所述第一碼字執(zhí)行錯(cuò)誤檢測(cè)，并基于所述錯(cuò)誤檢測(cè)提供錯(cuò)誤信息，所述錯(cuò)誤信息指示第一碼字中的錯(cuò)誤發(fā)生計(jì)數(shù)，M是大于1的整數(shù)；以及

將所述錯(cuò)誤信息記錄在所述錯(cuò)誤信息寄存器中，并基于所述錯(cuò)誤信息選擇性地確定是否將校正后的第一碼字回寫(xiě)到存儲(chǔ)有與第一碼字相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括：刷新控制電路，被配置為響應(yīng)于從外部設(shè)備接收的第一命令來(lái)生成刷新行地址；

其中，所述第一命令是刷新命令，以及

其中，所述刷洗控制電路被配置為在對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元行之一執(zhí)行刷新操作時(shí)，順序地生成指定包括在所述第一存儲(chǔ)器單元行中的M個(gè)碼字的刷洗地址。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述控制邏輯電路還被配置為：響應(yīng)于指示所述第一碼字包括要由ECC電路校正的錯(cuò)誤位的錯(cuò)誤信息，控制所述ECC電路以將所述校正后的第一碼字回寫(xiě)到所述存儲(chǔ)器位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述控制邏輯電路還被配置為：在完成對(duì)所述第一存儲(chǔ)器單元行中的M個(gè)子頁(yè)的錯(cuò)誤檢測(cè)之后，控制所述ECC電路以將所述校正后的第一碼字回寫(xiě)到所述存儲(chǔ)器位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述控制邏輯電路還被配置為：響應(yīng)于指示所述第一碼字包括沒(méi)有由ECC電路校正的錯(cuò)誤位的錯(cuò)誤信息，控制所述ECC電路跳過(guò)將所述校正后的第一碼字回寫(xiě)到所述存儲(chǔ)器位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述控制邏輯電路還被配置為：響應(yīng)于指示第一存儲(chǔ)器單元行中的M個(gè)子頁(yè)的可校正碼字的數(shù)量小于K的錯(cuò)誤信息，控制所述ECC電路以分別將可校正碼字回寫(xiě)到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器位置，K為大于2的自然數(shù)，可校正碼字中的每一個(gè)包括要由ECC電路校正的錯(cuò)誤位。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述控制邏輯電路還被配置為：響應(yīng)于指示第一存儲(chǔ)器單元行中的M個(gè)子頁(yè)的可校正碼字的數(shù)量等于或大于K的錯(cuò)誤信息，控制所述ECC電路以跳過(guò)將可校正碼字回寫(xiě)到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器位置，K為大于2的自然數(shù)，可校正碼字中的每一個(gè)包括要由ECC電路校正的錯(cuò)誤位。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述刷洗控制電路包括：

計(jì)數(shù)器，被配置為計(jì)數(shù)刷新行地址，并且每當(dāng)所述計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)N個(gè)刷新行地址時(shí)激活內(nèi)部刷洗信號(hào)；以及

刷洗地址生成器，被配置為基于所述內(nèi)部刷洗信號(hào)來(lái)生成與第一存儲(chǔ)器單元行的正常刷洗操作相關(guān)聯(lián)的正常刷洗地址。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備，其中，所述正常刷洗地址包括指定一個(gè)存儲(chǔ)器單元行的刷洗行地址和指定所述一個(gè)存儲(chǔ)器單元行中包括的碼字之一的刷洗列地址，以及

其中，所述刷洗地址生成器包括：

頁(yè)段計(jì)數(shù)器，被配置為基于所述內(nèi)部刷洗信號(hào)被激活，將刷洗列地址增加一；以及

行計(jì)數(shù)器，被配置為基于所述刷洗列地址達(dá)到最大值，將所述刷洗列地址增加一。