[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202110012100.6
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN112820770A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 土屋秀昭;木村央;井手隆;國宗依信
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

本發明公開了一種可提高電極的電遷移耐力的技術。漏極電極(DE)的一部分形成于漏極墊(DP)的側面(DSF)中。此時，漏極電極(DE)與漏極墊(DP)一體形成，且在俯視下從側面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯視下與漏極電極(DE)重合的區域上。漏極電極(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。從第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏極墊(DP)的側面(側面RDS)嵌入漏極墊(DP)中。

本申請是申請號為201510413155.2、名稱為“半導體器件”的發明專利申請的分案申請，原申請的申請日是2015年07月14日。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件，例如涉及一種可適用于功率器件的技術。

背景技術

功率器件中有時使用了具有氮化物半導體層的晶體管。專利文獻1中公開了這種晶體管的一例。專利文獻1所公開的晶體管中，在氮化物半導體層上形成有層間絕緣膜，且在層間絕緣膜上設有漏極墊和源極墊、以及漏極電極及源極電極。漏極電極以梳狀設置在漏極墊上。同樣地，源極電極以梳狀設置在源極墊上。此時，漏極電極及源極電極以相互咬合的方式配置。

而且，專利文獻1所公開的技術中，在俯視下，漏極電極內側還具有在層間絕緣膜中形成的凹部。所述凹部中埋有漏極電極的一部分。漏極電極經由所述凹部與氮化物半導體層電連接。同樣地，在俯視下，源極電極內側也具有在層間絕緣膜中形成的凹部。所述凹部中埋有源極電極的一部分。源極電極經由所述凹部與氮化物半導體層電連接。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1日本特開2014－22413號公報

發明內容

一般來說，電流路徑的寬度隨著電流的流動方向而越來越變窄的區域(電流集中區域)中，容易產生電遷移現象。尤其在與氮化物半導體層連接的電極上，有時會流過大電流。因此，在與氮化物半導體層連接的電極上形成電流集中區域時，就需要具備具有很高的電遷移耐力的結構。本發明的所述內容及所述內容以外的目的和新特征將在本說明書的描述及附圖說明中寫明。

根據本發明之一實施方式，層間絕緣膜位于氮化物半導體層上。布線位于層間絕緣膜上。所述布線的第1側面上形成有電極的一部分。電極與布線一體形成，且在俯視下從第1側面向第1方向延伸。層間絕緣膜上形成有凹部。所述凹部在俯視下位于與電極重合的區域上。所述凹部中至少埋有電極的一部分。沿著所述凹部的底面及側面、布線的底面、以及電極的底面形成有阻障金屬膜。布線及電極含有鋁。阻障金屬膜含有鈦。從第1方向上看，所述凹部中面向布線的側面抵達布線的第1側面，或者嵌入了布線中。

根據本發明之一實施方式，便可提高電極的電遷移耐力。

附圖說明

圖1所示的是第1實施中相關的半導體器件結構的平面圖。

圖2所示的是沿著圖1的A－A’線截斷的截面圖。

圖3所示的是沿著圖1的B－B’線截斷的截面圖。

圖4所示的是將圖1的虛線α所圍住的區域進行擴大后的示意圖。

圖5所示的是將圖1的虛線β所圍住的區域進行擴大后的示意圖。

圖6所示的是圖1至圖3中半導體器件制造方法的截面圖。

圖7所示的是圖1至圖3中半導體器件制造方法的截面圖。

圖8所示的是圖1至圖3中半導體器件制造方法的截面圖。

圖9所示的是圖1至圖3中半導體器件制造方法的截面圖。

圖10所示的是圖1至圖3中半導體器件制造方法的截面圖。

圖11所示的是圖1至圖3中半導體器件制造方法的截面圖。