[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202110012100.6
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN112820770A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 土屋秀昭;木村央;井手隆;國宗依信
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

1.一種半導體器件，其特征在于，

具有：

氮化物半導體層；

柵極電極，所述柵極電極位于所述氮化物半導體層上，并且在俯視下沿第1軸延伸；

層間絕緣膜，所述層間絕緣膜位于所述柵極電極及所述氮化物半導體層上；

源極墊，所述源極墊位于所述層間絕緣膜上，并且在俯視下沿與所述第1軸垂直的第2軸延伸；

漏極墊，所述漏極墊位于所述層間絕緣膜上，并且在俯視下沿所述第2軸延伸，且所述漏極墊與所述源極墊隔開間隔；

源極電極，所述源極電極在俯視下以長邊方向沿所述第1軸地朝向所述漏極墊延伸，并且與所述源極墊連接；以及

漏極電極，所述漏極電極在俯視下以長邊方向沿所述第1軸地朝向所述源極墊延伸，并且與所述漏極墊連接，

其中，所述層間絕緣膜具有在俯視下以長邊方向沿所述第1軸延伸的第1凹部，

其中，所述第1凹部在俯視下在所述源極電極和所述源極墊中具有長邊地延伸，

其中，所述源極電極和所述源極墊的一部分經由所述第1凹部與所述氮化物半導體層連接，

其中，所述源極電極和所述源極墊經由第1阻障金屬膜形成在所述層間絕緣膜上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述層間絕緣膜具有在俯視下以長邊方向沿所述第1軸延伸的第2凹部，

其中，所述第2凹部在俯視下在所述漏極電極和所述漏極墊中具有長邊地延伸，

其中，所述漏極電極和所述漏極墊的一部分經由所述第2凹部與所述氮化物半導體層連接。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述漏極電極和所述漏極墊經由第2阻障金屬膜形成在所述層間絕緣膜上。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第1阻障金屬膜含有鈦膜。

5.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第2阻障金屬膜含有鈦膜。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第1凹部在俯視下位于與所述源極電極和所述源極墊重合的區域。

7.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第2凹部在俯視下位于與所述漏極電極和所述漏極墊重合的區域。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述源極電極與所述源極墊一體形成。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述漏極電極與所述漏極墊一體形成。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述柵極電極布置在所述源極電極與所述漏極電極之間。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第1凹部形成在所述層間絕緣膜中，所述第1凹部的下端抵達所述氮化物半導體層，并且

其中，所述源極電極和所述源極墊的至少一部分埋在所述第1凹部中。

12.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第2凹部形成在所述層間絕緣膜中，所述第2凹部的下端抵達所述氮化物半導體層，并且

其中，所述漏極電極和所述漏極墊的至少一部分埋在所述第2凹部中。