[發明專利]X射線傳感器的制備方法及X射線傳感器在審
| 申請號: | 202110011605.0 | 申請日: | 2021-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN112786636A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 蔡廣爍 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射線 傳感器 制備 方法 | ||
本申請公開了一種X射線傳感器的制備,包括:提供襯底基板;在襯底基板上制備第一有源層和第二有源層;在第一有源層上方制備第一源漏極,在第二有源層上方制備第二源漏極,第一源漏極的漏級和第二源漏極的源級連接,第一源漏極和第一有源層形成歐姆接觸,第二源漏極和第二有源層形成歐姆接觸;在第一源漏極和第二源漏極上方制備絕緣層,絕緣層覆蓋第一有源層、第二有源層、第一源漏極和第二源漏極;在絕緣層上方與第一有源層和第二有源層對應的區域,分別制備與第一有源層對應的第一柵極層,與第二有源層對應的第二柵極層。該方法減少光接收面積,提高X射線傳感器的分辨率;去除光阻擋層,減少制程數,降低成本,減小傳感器的尺寸。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種X射線傳感器的制備方法及X射線傳感器。
背景技術
X射線攝影技術廣泛地應用在生物醫療、無損檢測和安檢領域,具有巨大的市場和應用價值。隨著醫學及非醫學領域對放射攝影術需求的不斷增長,人們越來越需要一種高分辨率、低輻射劑量、大尺寸的X射線傳感器產品。
相比于無源像素傳感器,有源像素傳感器因其具有更高的信噪比,受到了廣泛的關注。傳統的有源像素傳感器一般分為直接式和間接式兩種類型,其中,間接式有源像素傳感器具有低工作電壓、高掃描速度、低輻射劑量和低量子噪聲的優勢。一般的間接式有源像素傳感器由閃爍體、光電二極管、薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)三部分組成,這種結構通常需要p型材料與n型材料一起組成p-i-n結光電二極管,且需要在TFT的上方額外鍍上一層光阻擋層,材料工藝較為復雜,成本較高;為了得到較大的光電流,PN結需要較大的光接收面積,限制了傳感器的分辨率。
發明內容
本申請實施例提供一種X射線傳感器的制備方法,旨在解決現有技術下的X射線傳感器分辨率不高,且工藝復雜成本較高的問題。
第一方面,本申請提供一種X射線傳感器的制備方法,所述方法包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板上制備第一有源層和第二有源層;
在所述第一有源層上方制備第一源漏極,在所述第二有源層上方制備第二源漏極,所述第一源漏極的漏級和所述第二源漏極的源級連接,所述第一源漏極和所述第一有源層形成歐姆接觸,所述第二源漏極和所述第二有源層形成歐姆接觸;
在所述第一源漏極和第二源漏極上方制備絕緣層,所述絕緣層覆蓋所述第一有源層、第二有源層、第一源漏極和第二源漏極;
在所述絕緣層上方與所述第一有源層和第二有源層對應的區域,分別制備與所述第一有源層對應的第一柵極層,以及與所述第二有源層對應的第二柵極層,所述第二柵極層為透明氧化物導電材料制成。
進一步的,所述方法還包括:
提供閃爍體結構,所述閃爍體結構設置在所述第一柵極層和所述第二柵極層上方。
進一步的,所述在襯底基板上制備第一有源層和第二有源層,包括:
利用濺射或氣相沉積在所述襯底基板上分別制備第一有源層和第二有源層,所述第一有源層和第二有源層間隔設置。
進一步的,所述在所述第一有源層上方制備第一源漏極,在所述第二有源層上方制備第二源漏極,包括:
利用濺射或蒸鍍在所述第一有源層上方制備第一源漏極,在所述第二有源層上方制備第二源漏極。
進一步的,所述在所述第一源漏極和第二源漏極上方制備絕緣層,包括:
利用濺射或氣相沉積在所述第一源漏極和所述第二源漏極上方制備絕緣層,所述絕緣層覆蓋所述第一有源層、第二有源層、第一源漏極和第二源漏極。
第二方面,本申請還申請一種X射線傳感器,所述X攝像傳感器包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





