[發明專利]X射線傳感器的制備方法及X射線傳感器

在審

• 申請號: 202110011605.0
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112786636A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 蔡廣爍
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種X射線傳感器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上制備第一有源層和第二有源層；

在所述第一有源層上方制備第一源漏極，在所述第二有源層上方制備第二源漏極，所述第一源漏極的漏級和所述第二源漏極的源級連接，所述第一源漏極和所述第一有源層形成歐姆接觸，所述第二源漏極和所述第二有源層形成歐姆接觸；

在所述第一源漏極和第二源漏極上方制備絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述第一有源層、第二有源層、第一源漏極和第二源漏極；

在所述絕緣層上方與所述第一有源層和第二有源層對應的區域，分別制備與所述第一有源層對應的第一柵極層，以及與所述第二有源層對應的第二柵極層，所述第二柵極層為透明氧化物導電材料制成。

2.根據權利要求1所述的X射線傳感器的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：

提供閃爍體結構，所述閃爍體結構設置在所述第一柵極層和所述第二柵極層上方。

3.根據權利要求1所述的X射線傳感器的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板上制備第一有源層和第二有源層，包括：

利用濺射或氣相沉積在所述襯底基板上分別制備第一有源層和第二有源層，所述第一有源層和第二有源層間隔設置。

4.根據權利要求3所述的X射線傳感器的制備方法，其特征在于，所述在所述第一有源層上方制備第一源漏極，在所述第二有源層上方制備第二源漏極，包括：

利用濺射或蒸鍍在所述第一有源層上方制備第一源漏極，在所述第二有源層上方制備第二源漏極。

5.根據權利要求1所述的X射線傳感器的制備方法，其特征在于，所述在所述第一源漏極和第二源漏極上方制備絕緣層，包括：

利用濺射或氣相沉積在所述第一源漏極和所述第二源漏極上方制備絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述第一有源層、第二有源層、第一源漏極和第二源漏極。

6.一種X射線傳感器，其特征在于，所述X射線傳感器包括：

襯底基板；

設置在所述襯底基板上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的漏級和所述第二薄膜晶體管的源級連接。

7.根據權利要求6所述的X射線傳感器，其特征在于，所述X射線傳感器還包括閃爍體結構，所述閃爍體結構設置在所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管上方。

8.根據權利要求6所述的X射線傳感器，其特征在于，所述第一薄膜晶體管包括第一源漏極和第一柵極層，所述第一柵極層設置在所述第一源漏極上方。

9.根據權利要求8所述的X射線傳感器，其特征在于，所述第二薄膜晶體管包括第二源漏極和第二柵極層，所述第二柵極層設置在所述第二源漏極上方，所述第二柵極層為透明氧化物導電材料制成。

10.根據權利要求6所述的X射線傳感器，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管均陣列排布，且所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管間隔設置。