[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110011386.6
• 申請日: 2021-01-06
• 公開（公告）號: CN112768617A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 李鎮(zhèn)石
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

基板；

陽極層，設置在所述基板上；

其中，所述陽極層包括層疊設置于所述基板上的第一金屬氧化層、第一金屬層、第二金屬氧化層、第二金屬層以及第三金屬氧化層。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一金屬氧化層的厚度和所述第二金屬氧化層的厚度均小于所述第三金屬氧化層的厚度。

3.如權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一金屬氧化層、所述第二金屬氧化層以及所述第三金屬氧化層均為氧化銦錫膜。

4.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層均為銀層。

5.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，所述顯示面板包括陽極區(qū)和與所述陽極區(qū)相鄰的非陽極區(qū)，所述制備方法包括以下步驟：

在基板上依次制備第一金屬氧化層、第一金屬層、第二金屬氧化層、第二金屬層以及第三金屬氧化層；

對所述第三金屬氧化層、所述第二金屬層、所述第二金屬氧化層、所述第一金屬層以及所述第一金屬氧化層圖案化處理，形成位于所述陽極區(qū)的陽極層。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，對所述第三金屬氧化層、所述第二金屬層、所述第二金屬氧化層、所述第一金屬層以及所述第一金屬氧化層圖案化處理的步驟包括：

在所述第三金屬氧化層上制備一光阻層；

采用掩模板對所述光阻層進行曝光、隨后對所述光阻層進行顯影，去除對應于所述非陽極區(qū)的所述光阻層；

依次刻蝕對應于所述非陽極區(qū)的所述第三金屬氧化層、所述第二金屬層、所述第二金屬氧化層、所述第一金屬層以及第一金屬氧化層；

剝離所述光阻層。

7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬氧化層、所述第一金屬層、所述第二金屬氧化層、所述第二金屬層以及所述第三金屬氧化層均采用蒸鍍方式依次制備于所述基板表面；其中，所述第一金屬氧化層的厚度和所述第二金屬氧化層的厚度均小于所述第三金屬氧化層的厚度。

8.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬氧化層、所述第二金屬氧化層以及所述第三金屬氧化層的材料均為氧化銦錫。

9.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層的材料均為銀。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至4中任一項所述的顯示面板。