[發(fā)明專(zhuān)利]一種納米壓印制備OLED陽(yáng)極的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110010052.7
• 申請(qǐng)日: 2021-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112349869B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫揚(yáng);吳康敬;楊震元;李德權(quán);顏艷霜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江宏禧科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/52
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/52;H01L51/56;G03F7/00
• 代理公司: 浙江杭州金通專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 金麗英

本發(fā)明公開(kāi)一種納米壓印制備OLED陽(yáng)極的方法，通過(guò)清洗硅基板、納米壓印及轉(zhuǎn)印、制備陽(yáng)極層、剝離等步驟制備陽(yáng)極像素點(diǎn)，納米壓印可以在不使用電子和光子的前提下，直接機(jī)械的在紫外固化膠上構(gòu)成納米圖形，因此解決了光學(xué)曝光中的衍射現(xiàn)象和散射現(xiàn)象，從而可以在大面積尺寸上制備高分辨率的微型OLED顯示器。壓印采用的石英模板可以重復(fù)使用，以較低的成本和簡(jiǎn)單的工藝獲得精確的圖形，可降低OLED陽(yáng)極的制備成本，提高產(chǎn)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種納米壓印制備OLED陽(yáng)極的方法。

背景技術(shù)

微納米技術(shù)的快速發(fā)展，已經(jīng)廣泛并深入的進(jìn)入各個(gè)行業(yè)，如微型顯示器行業(yè)。OLED以厚度小、重量更輕、抗震性能更好、制造工藝簡(jiǎn)單、成本更低、發(fā)光效率更高等優(yōu)點(diǎn)被業(yè)界公認(rèn)為目前最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示技術(shù)。尺寸小于1英寸的OLED顯示器通常應(yīng)用在頭戴式或手掌式電腦監(jiān)視器、AR/VR眼鏡、實(shí)景游戲等，應(yīng)用十分廣泛。

硅基OLED微型顯示器的陽(yáng)極制造技術(shù)包括傳統(tǒng)的剝離方法、干法刻蝕、濕法刻蝕方法等，這些方法應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)中均需多次使用到傳統(tǒng)的光刻技術(shù)曝光，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)不僅能引起光學(xué)曝光中的衍射和電子散射現(xiàn)象，從而導(dǎo)致分辨率不佳的問(wèn)題，而且在批量制備以大面積尺寸為襯底的簡(jiǎn)單且重復(fù)圖形結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致加工成本增長(zhǎng)。

因此，結(jié)合不會(huì)產(chǎn)生衍射和散射現(xiàn)象的納米壓印技術(shù)和轉(zhuǎn)印技術(shù)提供一種重復(fù)性好，成本低，良品率高的陽(yáng)極制造方法是至關(guān)重要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是：傳統(tǒng)OLED陽(yáng)極的制備方法需多次光刻曝光，引起光學(xué)曝光中的衍射和散射現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致分辨率不佳，在大面積及批量生產(chǎn)簡(jiǎn)單圖形重復(fù)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致加工成本增長(zhǎng)的問(wèn)題。

本發(fā)明解決該技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是：

一種納米壓印制備OLED陽(yáng)極的方法，其特征在于，包括以下步驟；

步驟一，采用刻蝕法制備設(shè)有多個(gè)凹槽一的石英模板一、設(shè)有多個(gè)凹槽二的石英模板二，所述凹槽一與所述凹槽二位置相對(duì)應(yīng)，相鄰所述凹槽一之間的距離為0.8微米，所述凹槽二的寬度大于所述凹槽一的寬度；

步驟二，清洗具有驅(qū)動(dòng)電路的硅基板：用丙酮和去離子水清洗硅基板，氮?dú)鈽尨蹈珊笤?0至70攝氏度的干燥箱中10分鐘去除硅基板上殘余的水汽；

步驟三，在所述硅基板上均勻旋涂一層紫外固化膠，先將所述石英模板一進(jìn)行防粘處理，用對(duì)準(zhǔn)工藝將所述石英模板一準(zhǔn)確壓印到所述紫外固化膠表面，用紫外光照射使所述紫外固化膠固化形成圖形化像素點(diǎn)，最后將所述石英模板一從所述硅基板上脫離；

步驟四，通過(guò)等離子體去除壓印后殘余在非像素區(qū)域的所述紫外固化膠；

步驟五，在所述石英模板二上面滴加聚二甲基硅氧烷，填滿所述凹槽二，用刮刀緩慢地刮除表面多余的所述聚二甲基硅氧烷；

步驟六，在固化后的所述石英模板二的凹槽二的對(duì)應(yīng)位置點(diǎn)涂一層粘附層聚乙酸乙烯酯，通過(guò)對(duì)準(zhǔn)工藝將帶有所述聚二甲基硅氧烷的所述石英模板二倒置在所述壓印后的硅基板上，施加應(yīng)力使兩者粘合，移除所述石英模板二后得到T型的微納結(jié)構(gòu)；

步驟七，蒸鍍陽(yáng)極層，所述陽(yáng)極層包括鈦膜層、鎳膜層、鋁膜層、鉑膜層中的至少一種導(dǎo)電膜層，所述陽(yáng)極層厚度為40至60納米；

步驟八，采用N-甲基吡咯烷酮溶液、丙酮溶液中的一種溶液超聲除去所述T型結(jié)構(gòu)中的紫外固化膠、聚二甲基硅氧烷以及附著在所述T型結(jié)構(gòu)上陽(yáng)極層。

作為優(yōu)選，步驟三中所述的防粘處理具體操作是在無(wú)水環(huán)境中，將所述石英模板一浸泡在無(wú)水正辛烷比硅烷為200比1的混合溶液中2至3分鐘，取出后將所述石英模板一放在70攝氏度的無(wú)水正辛烷溶液中靜置20至30分鐘，在所述石英模板一表面形成低摩擦系數(shù)的疏水層。