[發明專利]晶片加工方法和晶片加工裝置

在審

• 申請號: 202110008119.3
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN113078108A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 能丸圭司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

本發明提供晶片加工方法和晶片加工裝置，無論晶片的種類或加工的種類而能夠高效地將晶片加工成各個芯片。根據本發明，提供晶片加工方法和晶片加工裝置，該晶片加工方法構成為包含如下的工序：保持工序，將晶片(10)保持于保持單元(4)；破壞層形成工序，將沖擊波(PL3)的會聚點(P1)定位于保持單元(4)所保持的晶片(10)而在要分割的區域形成破壞層(S1)；以及分割工序，將破壞層(S1)作為起點而將晶片(10)分割成各個芯片(12’)。該晶片加工裝置構成為包含：保持單元，其對晶片進行保持；以及破壞層形成單元，其將沖擊波的會聚點定位于保持單元所保持的晶片而在要分割的區域形成破壞層。

技術領域

本發明涉及將晶片分割成各個芯片的晶片加工方法和將晶片分割成各個芯片的晶片加工裝置。

背景技術

晶片由分割預定線劃分而在正面上形成有IC、LSI、LED等多個器件，該晶片通過激光加工裝置分割成一個一個器件芯片，并被用于移動電話、個人計算機等電子設備。

激光加工裝置構成為包含：保持單元，其對被加工物(晶片)進行保持；激光光線照射單元，其照射對于該保持單元所保持的被加工物具有吸收性的波長的激光光線；X軸進給單元，其將該保持單元和該激光光線照射單元在X軸方向上相對地進行加工進給；以及Y軸進給單元，其將該保持單元和該激光光線照射單元在與X軸方向垂直的Y軸方向上相對地進行加工進給，該激光加工裝置將聚光點定位于晶片的分割預定線而進行照射，實施燒蝕加工，在分割預定線上形成分割槽而分割成一個一個器件芯片(例如參照專利文獻1)。

另外，激光加工裝置構成為包含：保持單元，其對被加工物(晶片)進行保持；激光光線照射單元，其照射對于該保持單元所保持的被加工物具有透過性的波長的激光光線；以及Y軸進給單元，其將該保持單元和該激光光線照射單元在與X軸方向垂直的Y軸方向上相對地進行加工進給，該激光加工裝置將激光光線的聚光點定位于晶片的分割預定線的內部而進行照射，在分割預定線的內部形成作為分割的起點的改質層，從而分割成一個一個器件芯片(例如參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

專利文獻2：日本特開2012-2604號公報

但是，在上述的專利文獻1、2所記載的技術中，存在如下的問題：照射至晶片的激光光線的波長必須與晶片的種類或加工的種類對應而具有吸收性或透過性，必須準備與晶片的種類或加工的種類對應的激光加工裝置，因此是不經濟的。

發明內容

本發明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題在于提供無論晶片的種類或加工的種類而能夠高效地將晶片加工成各個芯片的晶片加工方法和晶片加工裝置。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供晶片加工方法，將晶片分割成各個芯片，其中，該晶片加工方法構成為包含如下的工序：保持工序，將晶片保持于保持單元；破壞層形成工序，將沖擊波的會聚點定位于該保持單元所保持的晶片而在要分割的區域形成破壞層；以及分割工序，將該破壞層作為起點而將晶片分割成各個芯片。

另外，根據本發明，提供晶片加工裝置，其將晶片分割成各個芯片，其中，該晶片加工裝置構成為包含：保持單元，其對晶片進行保持；以及破壞層形成單元，其將沖擊波的會聚點定位于該保持單元所保持的晶片而在要分割的區域形成破壞層。