[發明專利]晶片加工方法和晶片加工裝置

在審

• 申請號: 202110008119.3
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN113078108A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 能丸圭司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種晶片加工方法，將晶片分割成各個芯片，其中，

該晶片加工方法構成為包含如下的工序：

保持工序，將晶片保持于保持單元；

破壞層形成工序，將沖擊波的會聚點定位于該保持單元所保持的晶片而在要分割的區域形成破壞層；以及

分割工序，將該破壞層作為起點而將晶片分割成各個芯片。

2.一種晶片加工裝置，其將晶片分割成各個芯片，其中，

該晶片加工裝置構成為包含：

保持單元，其對晶片進行保持；以及

破壞層形成單元，其將沖擊波的會聚點定位于該保持單元所保持的晶片而在要分割的區域形成破壞層。

3.根據權利要求2所述的晶片加工裝置，其中，

該破壞層形成單元是照射脈沖激光光線的第一激光光線照射單元，通過該第一激光光線照射單元將每一個脈沖的激光光線形成為按照每個波長而具有時間差的環狀，向晶片照射該形成為環狀的脈沖激光光線從而在要分割的區域生成沖擊波而形成會聚點，通過該第一激光光線照射單元來調整該時間差，從而設定該沖擊波的會聚點的位置。

4.根據權利要求2所述的晶片加工裝置，其中，

該破壞層形成單元包含：

液體層形成單元，其在晶片的上表面上形成液體層；

第二激光光線照射單元，其將脈沖激光光線的聚光點定位于該液體層而進行照射；以及

橢圓穹頂，其浸漬于該液體層，

按照如下方式設定：將該脈沖激光光線的聚光點定位于該橢圓穹頂的第一焦點而進行照射，在該液體層中生成沖擊波，將該橢圓穹頂的第二焦點定位于晶片的要分割的區域，從而使該第二焦點成為沖擊波的會聚點。

5.根據權利要求2所述的晶片加工裝置，其中，

該破壞層形成單元包含：

液體層形成單元，其在晶片的上表面上形成液體層；

第三激光光線照射單元，其照射脈沖激光光線；以及

沖擊波生成單元，其浸漬于該液體層，通過脈沖激光光線的照射而在液體層中生成沖擊波，并形成該沖擊波的會聚點，

通過該沖擊波生成單元而形成的會聚點被定位于晶片的要分割的區域。