[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110007346.4
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN113113442A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 裵水斌;金善一;趙晟原;呂倫鐘;丁有光
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;劉燦強

提供了一種顯示裝置及其制造方法。所述顯示裝置包括基底和位于基底上的顯示元件層。顯示元件層包括：第一電極和第二電極，沿著第一方向延伸并且在第二方向上彼此間隔開；以及發(fā)光元件，電連接到第一電極和第二電極。第一電極具有朝向第二電極凸出的第一凸出部分和在遠離第二電極的方向上凹進的第一凹進部分，第二電極具有朝向第一電極凸出的第二凸出部分和在遠離第一電極的方向上凹進的第二凹進部分。基于在第一電極與第二電極之間沿第一方向延伸的虛擬延長線，發(fā)光元件包括分別靠近第一凹進部分和第二凹進部分的第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件。

本申請要求于2020年1月9日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0003374號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益，該韓國專利申請的全部內容出于所有目的通過引用包含于此，如同在此充分闡述的一樣。

技術領域

本發(fā)明的示例實施例的方面總體上涉及一種顯示裝置及其制造方法。

背景技術

發(fā)光二極管(在下文中，被稱為LED)即使在惡劣的環(huán)境條件下也具有相對良好的耐久性，并且在壽命和亮度方面也具有優(yōu)異的性能。近來，已經進行了將LED應用于各種顯示裝置的研究。

已經研究了用于制造具有無機晶體結構(例如，其中生長氮化物半導體的結構)的超小棒狀LED(例如，具有棒狀形狀的LED)的技術，所述超小棒狀LED具有微米級(例如，約1μm至約100μm)或納米級(例如，約1nm至約100nm)的尺寸。例如，棒狀LED可以被制造成具有足夠小的尺寸以構造(例如，形成或被包括在)自發(fā)光顯示裝置的像素。

在本背景技術部分中公開的上面的信息僅用于促進對本發(fā)明的背景技術的理解，因此，它可能包含不構成對本領域普通技術人員而言已經知曉的現(xiàn)有技術的信息。

發(fā)明內容

本發(fā)明的實施例提供了一種具有發(fā)光元件的優(yōu)異的對準的顯示裝置及該顯示裝置的制造方法。

本發(fā)明的實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括基底和位于基底一個表面上的顯示元件層。顯示元件層包括：第一電極和第二電極，沿著第一方向延伸并且在與第一方向不同的第二方向上彼此間隔開；以及發(fā)光元件，電連接到第一電極和第二電極。第一電極具有在平面圖中朝向第二電極凸出的第一凸出部分和在遠離第二電極的方向上凹進的第一凹進部分，第二電極具有在平面圖中朝向第一電極凸出的第二凸出部分和在遠離第一電極的方向上凹進的第二凹進部分?；谠诘谝浑姌O與第二電極之間沿第一方向延伸的虛擬延長線，發(fā)光元件包括靠近第一凹進部分的第一發(fā)光元件和靠近第二凹進部分的第二發(fā)光元件。

第一凹進部分和第二凹進部分可以沿著第一方向交替地布置，第一凸出部分和第二凸出部分可以沿著第一方向交替地布置。

第一凸出部分可以面對第二凹進部分，第二凸出部分可以面對第一凹進部分。

第一發(fā)光元件可以位于第一凹進部分與第二凸出部分之間，第二發(fā)光元件可以位于第二凹進部分與第一凸出部分之間。

顯示元件層還可以包括：第一接觸電極，將第一電極電連接到發(fā)光元件；以及第二接觸電極，將第二電極電連接到發(fā)光元件。

第一接觸電極與第一發(fā)光元件疊置的位置處的面積可以比第二接觸電極與第一發(fā)光元件疊置的位置處的面積大。

第一接觸電極與第二發(fā)光元件疊置的位置處的面積可以比第二接觸電極與第二發(fā)光元件疊置的位置處的面積小。

顯示元件層還可以包括位于基底上的第一堤和第二堤，第一堤和第二堤沿著第一方向延伸，并且沿著第二方向彼此間隔開。第一電極可以位于第一堤上，第二電極可以位于第二堤上。

第一堤可以具有在平面圖中朝向第二堤凸出的第一堤凸出部分和在遠離第二堤的方向上凹進的第一堤凹進部分，第二堤可以具有在平面圖中朝向第一堤凸出的第二堤凸出部分和在遠離第一堤的方向上凹進的第二堤凹進部分。