[發明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202110007346.4 | 申請日: | 2021-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN113113442A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 裵水斌;金善一;趙晟原;呂倫鐘;丁有光 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉美華;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底;以及
顯示元件層,位于所述基底的一個表面上,所述顯示元件層包括:第一電極和第二電極,沿著第一方向延伸并且在與所述第一方向不同的第二方向上彼此間隔開;以及發光元件,電連接到所述第一電極和所述第二電極,
其中,所述第一電極具有在平面圖中朝向所述第二電極凸出的第一凸出部分和在遠離所述第二電極的方向上凹進的第一凹進部分,
其中,所述第二電極具有在所述平面圖中朝向所述第一電極凸出的第二凸出部分和在遠離所述第一電極的方向上凹進的第二凹進部分,并且
其中,基于在所述第一電極與所述第二電極之間沿所述第一方向延伸的虛擬延長線,所述發光元件包括靠近所述第一凹進部分的第一發光元件和靠近所述第二凹進部分的第二發光元件。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一凹進部分和所述第二凹進部分沿著所述第一方向交替地布置,并且
其中,所述第一凸出部分和所述第二凸出部分沿著所述第一方向交替地布置。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一凸出部分面對所述第二凹進部分,并且
其中,所述第二凸出部分面對所述第一凹進部分。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,所述第一發光元件位于所述第一凹進部分與所述第二凸出部分之間,并且
其中,所述第二發光元件位于所述第二凹進部分與所述第一凸出部分之間。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示元件層還包括:
第一接觸電極,將所述第一電極電連接到所述發光元件,以及
第二接觸電極,將所述第二電極電連接到所述發光元件。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第一接觸電極與所述第一發光元件疊置的位置處的面積比所述第二接觸電極與所述第一發光元件疊置的位置處的面積大。
7.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第一接觸電極與所述第二發光元件疊置的位置處的面積比所述第二接觸電極與所述第二發光元件疊置的位置處的面積小。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示元件層還包括第一堤和第二堤,所述第一堤和所述第二堤位于所述基底上,沿著所述第一方向延伸,并且沿著所述第二方向彼此間隔開,并且
其中,所述第一電極位于所述第一堤上,所述第二電極位于所述第二堤上。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述第一堤具有在所述平面圖中朝向所述第二堤凸出的第一堤凸出部分和在遠離所述第二堤的方向上凹進的第一堤凹進部分,并且
其中,所述第二堤具有在所述平面圖中朝向所述第一堤凸出的第二堤凸出部分和在遠離所述第一堤的方向上凹進的第二堤凹進部分。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述第一凸出部分與所述第一堤凸出部分疊置并且具有與所述第一堤凸出部分的平面形狀對應的形狀,所述第一凹進部分與所述第一堤凹進部分疊置并且具有與所述第一堤凹進部分的平面形狀對應的形狀,并且
其中,所述第二凸出部分與所述第二堤凸出部分疊置并且具有與所述第二堤凸出部分的平面形狀對應的形狀,所述第二凹進部分與所述第二堤凹進部分疊置并且具有與所述第二堤凹進部分的平面形狀對應的形狀。
11.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述顯示元件層還包括覆蓋所述第一電極和所述第二電極的絕緣層,并且
其中,所述發光元件位于所述絕緣層上。
12.根據權利要求11所述的顯示裝置,其中,所述絕緣層具有位于所述第一電極與所述第二電極之間并且在第三方向上朝向所述基底凹陷的容納部分,并且
其中,所述發光元件位于所述絕緣層的所述容納部分上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





