[發明專利]三維存儲器及其控制方法

有效

• 申請號: 202110004636.3
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN112614530B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 趙向南;關蕾;黃瑩;劉紅濤;宋雅麗
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/08;G11C16/34;G11C5/14
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器的控制方法，其特征在于，所述三維存儲器包括多個存儲串和多條字線，每個所述存儲串包括自上而下依次串聯的多個存儲單元，每條所述字線與每個所述存儲串中位于相同高度的存儲單元相連，所述方法包括：

確定進行驗證操作及讀取操作的目標字線；

在所述驗證操作及所述讀取操作時分別對所述目標字線施加驗證電壓和讀取電壓；

在所述驗證操作及所述讀取操作時對與在所述驗證操作時為未編程狀態的存儲單元相連的第一字線組中的多個字線施加第一導通電壓；以及

在所述驗證操作及所述讀取操作時對與在所述驗證操作時為已編程狀態的存儲單元相連的第二字線組中的至少一部分字線施加第二導通電壓，所述目標字線連接的所述存儲單元連接于所述第一字線組及所述第二字線組連接的所述存儲單元之間；

其中，所述第二導通電壓小于所述第一導通電壓。

2.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，當僅對所述第二字線組中的一部分字線施加所述第二導通電壓時，對所述第二字線組中未施加所述第二導通電壓的字線施加所述第一導通電壓。

3.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二字線組中施加所述第二導通電壓的字線的數量為所述第二字線組中字線總數的80%至100%。

4.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二字線組中施加所述第二導通電壓的字線為連續的字線。

5.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，還包括對所述第二字線組中靠近所述目標字線的至少一個字線施加所述第一導通電壓，其中，所述第二字線組中施加所述第一導通電壓的字線未被施加所述第二導通電壓。

6.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一導通電壓的大小為6V至8V。

7.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二導通電壓的大小為5V至7V。

8.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二導通電壓的大小為所述第一導通電壓的大小的85%至100%。

9.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述編程為正向編程或反向編程。

10.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器包括多個存儲串和多條字線，每個所述存儲串包括自上而下依次串聯的多個存儲單元，每條所述字線與每個所述存儲串中位于相同高度的存儲單元相連，所述三維存儲器還包括：

控制電路，配置為確定進行驗證操作及讀取操作的目標字線；在所述驗證操作及所述讀取操作時分別對所述目標字線施加驗證電壓和讀取電壓；在所述驗證操作及所述讀取操作時對與在所述驗證操作時為未編程狀態的存儲單元相連的第一字線組中的多個字線施加第一導通電壓；以及在所述驗證操作及所述讀取操作時對與在所述驗證操作時為已編程狀態的存儲單元相連的第二字線組中的至少一部分字線施加第二導通電壓，所述目標字線連接的所述存儲單元連接于所述第一字線組及所述第二字線組連接的所述存儲單元之間；

其中，所述第二導通電壓小于所述第一導通電壓。

11.根據權利要求10所述的三維存儲器，其特征在于，所述第二字線組中施加所述第二導通電壓的字線的數量為所述第二字線組中字線總數的80%至100%。

12.根據權利要求10所述的三維存儲器，其特征在于，所述第二導通電壓的大小為所述第一導通電壓的大小的85%至100%。