[發(fā)明專利]一種抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110003955.2 | 申請日： | 2021-01-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112768955B | 公開（公告）日： | 2022-12-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 欒英宏;呂利清;李秀偉;孫彥龍;劉瑞;馮劍鋒;李寧杰;李丹;陳雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海航天測控通信研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01Q21/00 | 分類號(hào)： | H01Q21/00;H01Q21/08 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 抗混疊 旋轉(zhuǎn) 錯(cuò)位 陣列 天線 | ||
本發(fā)明公開了一種抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線，第一子陣列天線、第二子陣列天線和第三子陣列天線呈U型布局，并且第二子陣列天線與第三子陣列天線平行，第一子陣列天線分別垂直于第二子陣列天線、第三子陣列天線，第一陣列天線分別與坐標(biāo)系的x軸正方向呈45°、坐標(biāo)系的y軸正方向呈45°設(shè)置；第四子陣列天線與第一子陣列天線平行，第四子陣列天線兩端的天線單元分別距離第二子陣列天線遠(yuǎn)離第一子陣列天線的一端的天線單元、第三子陣列天線遠(yuǎn)離第一子陣列天線的一端的天線單元的間隔均為本發(fā)明增密了可視度函數(shù)采樣點(diǎn)數(shù)，實(shí)現(xiàn)增大探測無混疊區(qū)域的同時(shí)提高系統(tǒng)探測的靈敏度，從而拓寬反演成像區(qū)域、提高反演圖像的清晰程度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于被動(dòng)綜合孔徑體制微波遙感領(lǐng)域，尤其涉及一種抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線。
背景技術(shù)
綜合孔徑微波輻射探測作為一種通過接收被觀測場景輻射的微波能量來獲取目標(biāo)特性的被動(dòng)式微波遙感技術(shù)，與傳統(tǒng)實(shí)孔徑輻射探測直接進(jìn)行功率測量成像的原理不同。它是用多個(gè)小單元天線按照一定的陣列布局(T型、Y型、O型等)等效實(shí)孔徑探測的大口徑天線，以獲得由于實(shí)孔徑天線尺寸限制而無法達(dá)到的高空間分辨率。通過每兩個(gè)小單元天線之間的干涉測量，對視場內(nèi)輻射亮溫分布的空間頻率域進(jìn)行采樣，得到可見度函數(shù)，然后通過對可見度函數(shù)進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算來重建亮溫圖像。
其中陣列布局對綜合孔徑輻射探測的性能有重要影響：陣列的最大長度決定系統(tǒng)成像的空間分辨率，陣列的最小單元間距決定系統(tǒng)成像的無混疊視場，而系統(tǒng)靈敏度與陣元數(shù)目、陣元間隔的排布方式等也密切相關(guān)。不同陣列布局的可見度函數(shù)采樣性能不同，對系統(tǒng)成像性能影響也不同。因此，陣列布局的優(yōu)化設(shè)計(jì)須綜合考慮系統(tǒng)各項(xiàng)性能指標(biāo)(分辨率、靈敏度、視場等)及硬件的可實(shí)現(xiàn)性等各種因素。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)目的是提供一種抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線，以解決混疊問題嚴(yán)重、靈敏度低的技術(shù)問題。
為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：
一種抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線，基于確定抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線空間位置的坐標(biāo)系，抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線呈梅花形采樣分布，其包括：第一子陣列天線、第二子陣列天線、第三子陣列天線和第四子陣列天線；
第一子陣列天線包括等間隔Δu呈直線設(shè)置的N個(gè)天線單元；
第二子陣列天線包括等間隔Δu呈直線設(shè)置的N-1個(gè)天線單元；
第三子陣列天線包括等間隔Δu呈直線設(shè)置的N-1個(gè)天線單元；
第四子陣列天線包括等間隔Δu呈直線設(shè)置的N-1個(gè)天線單元；
其中，第一子陣列天線、第二子陣列天線和第三子陣列天線呈U型布局，并且第二子陣列天線與第三子陣列天線平行，第一子陣列天線分別垂直于第二子陣列天線、第三子陣列天線，第一陣列天線分別與坐標(biāo)系的x軸正方向呈45°、坐標(biāo)系的y軸正方向呈45°設(shè)置；
第四子陣列天線與第一子陣列天線平行，第四子陣列天線兩端的天線單元分別距離第二子陣列天線遠(yuǎn)離第一子陣列天線的一端的天線單元、第三子陣列天線遠(yuǎn)離第一子陣列天線的一端的天線單元的間隔均為
具體地，第二子陣列天線和第三子陣列天線靠近第一子陣列兩端的天線單元，與第一子陣列兩端的天線單元間隔為Δu。
具體地，梅花形采樣的可見度函數(shù)的總樣本點(diǎn)數(shù)NV公式如下，Nv＝8N2+8N+1。
具體地，抗混疊旋轉(zhuǎn)錯(cuò)位陣列天線的采樣?xùn)鸥耖g距為可見度函數(shù)的采樣平面最小單元面積為
本發(fā)明由于采用以上技術(shù)方案，使其與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果：
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