[發明專利]TFT陣列基板及其制備方法有效
| 申請號: | 202110002999.3 | 申請日: | 2021-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN112820739B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 張偉偉 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft 陣列 及其 制備 方法 | ||
一種TFT陣列基板,包括陣列驅動區以及位于所述陣列驅動區一側的綁定區,所述TFT陣列基板還包括柔性襯底、設置于所述柔性襯底上的緩沖層、設置于所述緩沖層上的第一金屬層以及覆蓋所述第一金屬層的絕緣層,所述絕緣層上具有多個間隔排列的綁定端子,多個所述綁定端子位于所述綁定區,所述絕緣層還具有與多個所述綁定端子對應設置的多個過孔,每一所述綁定端子經由對應的所述過孔與所述第一金屬層電連接;其中,位于所述綁定區的部分所述絕緣層上還設置有擋墻,所述擋墻圍繞多個所述綁定端子排列形成的第一區域D設置。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種TFT陣列基板及制備方法。
背景技術
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置,因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點,而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。該TFT-LCD是通過綁定(Bonding)一些驅動芯片,來控制像素電極和公共電極之間的電場大小,以達到控制液晶分子偏轉角度的目的,最終顯示預期的畫面。為了實現驅動芯片的綁定,通常在該TFT-LCD的陣列基板的綁定區,制作綁定端子,利用驅動芯片的引腳與綁定端子電連接,從而實現驅動芯片與TFT陣列基板的綁定。
當前運用TFT-LCD技術的TV產品在進行清潔劑測試時容易出現綁定端子的腐蝕,給產品競爭力造成影響。根本原因是清潔劑測試時噴灑藥液流經綁定端子時,綁定端子所在的焊接區(bonding pad)防護較弱導致清潔劑侵入而產生腐蝕。
綜上所述,急需提供一種TFT陣列基板及制備方法,以解決上述技術問題。
發明內容
本申請提供一種TFT陣列基板及制備方法,以解決現有的TFT陣列基板及制備方法,由于綁定端子所在的焊接區的防護能力較弱導致清潔劑測試時,清潔劑侵入綁定端子而產生腐蝕的技術問題。
為達到上述目的,本申請實施例采用如下技術方案:
本申請實施例提供一種TFT陣列基板,包括陣列驅動區以及位于所述陣列驅動區一側的綁定區,所述TFT陣列基板還包括柔性襯底、設置于所述柔性襯底上的緩沖層、設置于所述緩沖層上的第一金屬層以及覆蓋所述第一金屬層的絕緣層,所述絕緣層上具有多個間隔排列的綁定端子,多個所述綁定端子位于所述綁定區,所述絕緣層還具有與多個所述綁定端子對應設置的多個過孔,每一所述綁定端子經由對應的所述過孔與所述第一金屬層電連接;
其中,位于所述綁定區的部分所述絕緣層上還設置有擋墻,所述擋墻圍繞多個所述綁定端子排列形成的第一區域D設置。
在一些實施例中,所述擋墻為將所述第一區域D四面包圍后形成的一閉環圖案。
在一些實施例中,所述擋墻為將所述第一區域D三面包圍且未包圍的一面靠近所述陣列驅動區的開環圖案。
在一些實施例中,所述擋墻為間隔物擋墻,所述間隔物擋墻的材料為有機色阻。
在一些實施例中,所述擋墻的寬度為20~400um,所述擋墻的高度為3~6um。
在一些實施例中,每一所述綁定端子均包括一端部及一走線,每一所述綁定端子中,所述走線的一端連接所述端部,另一端經對應的所述過孔與所述第一金屬層電連接。
在一些實施例中,多個所述端部的形狀均為矩形,多個所述端部沿直線排列。
在一些實施例中,所述柔性襯底的材料為聚酰亞胺,所述緩沖層以及所述絕緣層的材料為氮硅化物或者氮氧化物,所述第一金屬層的材料為鋁或銅。
本申請實施例還提供一種如上所述TFT陣列基板的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
S10,在一柔性襯底上形成緩沖層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





