[發明專利]TFT陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 202110002999.3
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN112820739B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 張偉偉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種TFT陣列基板，包括陣列驅動區以及位于所述陣列驅動區一側的綁定區，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括柔性襯底、設置于所述柔性襯底上的緩沖層、設置于所述緩沖層上的第一金屬層以及覆蓋所述第一金屬層的絕緣層，所述絕緣層上具有多個間隔排列的綁定端子，多個所述綁定端子位于所述綁定區，所述絕緣層還具有與多個所述綁定端子對應設置的多個過孔，每一所述綁定端子經由對應的所述過孔與所述第一金屬層電連接；

其中，位于所述綁定區的部分所述絕緣層上還設置有擋墻，所述擋墻圍繞多個所述綁定端子排列形成的第一區域D設置；所述擋墻為間隔物擋墻，所述間隔物擋墻的材料為有機色阻。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述擋墻為將所述第一區域D四面包圍后形成的一閉環圖案。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述擋墻為將所述第一區域D三面包圍且未包圍的一面靠近所述陣列驅動區的開環圖案。

4.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述擋墻的寬度為20~400um，所述擋墻的高度為3~6um。

5.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，每一所述綁定端子均包括一端部及一走線，每一所述綁定端子中，所述走線的一端連接所述端部，另一端經對應的所述過孔與所述第一金屬層電連接。

6.根據權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，多個所述端部的形狀均為矩形，多個所述端部沿直線排列。

7.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述柔性襯底的材料為聚酰亞胺，所述緩沖層以及所述絕緣層的材料為氮硅化物或者氮氧化物，所述第一金屬層的材料為鋁或銅。

8.一種如權利要求1-7中任意一項所述TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

S10，在一柔性襯底上形成緩沖層；

S20，在所述緩沖層上沉積金屬材料并進行圖案化，形成第一金屬層；

S30，形成覆蓋所述第一金屬層的絕緣層，對所述絕緣層進行圖案化，形成多個間隔設置的過孔；

S40，在所述絕緣層上形成多個間隔的綁定端子，每一所述綁定端子位于所述過孔上方，并經由對應的所述過孔與所述第一金屬層電連接；

S50，在所述絕緣層上涂布一有機色阻形成擋墻，所述擋墻圍繞多個所述綁定端子排列形成的第一區域D設置。

9.根據權利要求8所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述擋墻的寬度為20~400um，所述擋墻的高度為3~6um。