[發(fā)明專利]工作臺(tái)系統(tǒng)、工作臺(tái)系統(tǒng)操作方法、檢查工具、光刻設(shè)備、校準(zhǔn)方法和裝置制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080094891.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115023654A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃仰山;R·維色
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 胡良均

相對(duì)于參考物(RE)可移動(dòng)的工作臺(tái)(ST)包括：軸承(BE)，用于支撐和引導(dǎo)所述工作臺(tái)相對(duì)于二維平面中的所述參考物的移動(dòng)；以及致動(dòng)器系統(tǒng)(ACT)，用于相對(duì)于所述參考物向所述工作臺(tái)施加力，以相對(duì)于所述二維平面中的所述參考物移動(dòng)或定位所述工作臺(tái)，其中所述致動(dòng)器系統(tǒng)包括至少一個(gè)致動(dòng)器裝置(CL)，所述至少一個(gè)致動(dòng)器裝置(CL)被配置為具有：接合模式，其中所述致動(dòng)器裝置與所述工作臺(tái)接合以允許所述工作臺(tái)與所述致動(dòng)器裝置一起移動(dòng)；以及分離模式，其中所述致動(dòng)器裝置與所述工作臺(tái)分離，允許所述工作臺(tái)和所述致動(dòng)器裝置獨(dú)立移動(dòng)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2020年2月7日提交的EP申請(qǐng)20156073.7的優(yōu)先權(quán)，其通過(guò)引用全部并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種工作臺(tái)系統(tǒng)、用于這種工作臺(tái)系統(tǒng)的操作方法、檢查工具、包括這種工作臺(tái)系統(tǒng)的光刻設(shè)備、校準(zhǔn)方法以及使用這種工作臺(tái)系統(tǒng)的裝置制造方法。

背景技術(shù)

光刻設(shè)備是被構(gòu)造為將期望的圖案施加到襯底上的機(jī)器。光刻設(shè)備可以被用于例如集成電路(IC)的制造中。例如，光刻設(shè)備可以將圖案形成裝置(例如掩模)的圖案(通常也稱為“設(shè)計(jì)布局”或“設(shè)計(jì)”)投影到設(shè)置在襯底(例如晶片)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

隨著半導(dǎo)體制造過(guò)程的不斷發(fā)展，遵循一般稱為‘摩爾定律’的趨勢(shì)，電路元件的尺寸被不斷減小，但幾十年來(lái)每個(gè)裝置的功能元件(諸如晶體管)的數(shù)量卻穩(wěn)定增加。為了跟上摩爾定律，半導(dǎo)體行業(yè)正在尋求能夠創(chuàng)建越來(lái)越小的特征的技術(shù)。為了將圖案投影到襯底上，光刻設(shè)備可以使用電磁輻射。該輻射的波長(zhǎng)確定了在襯底上圖案化的特征的最小尺寸。當(dāng)前使用的典型波長(zhǎng)是365nm(i線)、248nm、193nm和13.5nm。與使用例如波長(zhǎng)為193nm的輻射的光刻設(shè)備相比，使用波長(zhǎng)在4nm至20nm范圍內(nèi)(例如6.7nm或13.5nm)的極紫外(EUV)輻射的光刻設(shè)備可以被用于在襯底上形成更小的特征。

低k₁光刻可以被用于處理尺寸小于光刻設(shè)備的經(jīng)典分辨率極限的特征。在這種過(guò)程中，分辨率公式可以被表達(dá)為CD＝k₁×λ/NA，其中λ是所采用的輻射波長(zhǎng)，NA是光刻設(shè)備中的投影光學(xué)器件的數(shù)值孔徑，CD是“臨界尺寸”(通常印刷的最小特征尺寸，但在這種情況下是半節(jié)距)，并且k₁是經(jīng)驗(yàn)分辨率因子。通常，k₁越小，就越難在襯底上再現(xiàn)與電路設(shè)計(jì)者計(jì)劃的形狀和尺寸類似的圖案，以實(shí)現(xiàn)特定電氣功能性和性能。為了克服這些困難，復(fù)雜的微調(diào)步驟可以被應(yīng)用于光刻投影設(shè)備和/或設(shè)計(jì)布局。例如，這些包括但不限于NA的優(yōu)化、定制照射方案、相移圖案形成裝置的使用、設(shè)計(jì)布局中的諸如光學(xué)鄰近校正(OPC，有時(shí)也稱為“光學(xué)和過(guò)程校正”)等設(shè)計(jì)布局的各種優(yōu)化或者通常定義為“分辨率增強(qiáng)技術(shù)”(RET)的其他方法。備選地，用于控制光刻設(shè)備的穩(wěn)定性的緊密控制環(huán)可以被用于改進(jìn)低k₁下的圖案的再現(xiàn)。

因此，在光刻過(guò)程中，期望對(duì)所創(chuàng)建的結(jié)構(gòu)進(jìn)行頻繁測(cè)量，例如以進(jìn)行過(guò)程控制和驗(yàn)證。進(jìn)行這種測(cè)量的工具通常被稱為量測(cè)工具或檢查工具。用于進(jìn)行這種測(cè)量的不同類型的量測(cè)工具是已知的，包括掃描電子顯微鏡或各種形式的散射儀量測(cè)工具。散射儀是多功能儀器，它允許通過(guò)將傳感器置于散射儀物鏡的光瞳或與光瞳的共軛平面中(這些測(cè)量通常稱為基于光瞳的測(cè)量)或者通過(guò)將傳感器置于圖像平面或與圖像平面共軛的平面中(在這種情況下，這些測(cè)量通常被稱為基于圖像或場(chǎng)的測(cè)量)來(lái)允許測(cè)量光刻過(guò)程的參數(shù)。這種散射儀和關(guān)聯(lián)的測(cè)量技術(shù)在專利申請(qǐng)US2010/0328655、US2011/102753A1、US2012/0044470A、US2011/0249244、US2011/0026032或EP1,628,164A中進(jìn)一步描述，其通過(guò)引用全部并入本文。上述散射儀可以使用來(lái)自軟x射線并且對(duì)于近IR波長(zhǎng)范圍可見(jiàn)的光來(lái)測(cè)量光柵。