[發明專利]R-T-B系燒結磁體的制造方法和R-T-B系燒結磁體在審
| 申請號: | 202080089947.8 | 申請日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN114867572A | 公開(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發明(設計)人: | 藤森信彥;小幡徹;園田和博;國吉太;古澤大介;槙智仁;三野修嗣;齋藤康太 | 申請(專利權)人: | 日立金屬株式會社 |
| 主分類號: | B22F9/04 | 分類號: | B22F9/04;H01F1/057;H01F41/02;C22C38/00;B22F3/02;B22F3/10;C22C33/02;B22F1/14;B22F1/05;B22F3/24 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;張岑堯 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 燒結 磁體 制造 方法 | ||
1.一種R-T-B系燒結磁體的制造方法,其特征在于:
在R-T-B系燒結磁體中,R為稀土元素且必須包含選自Nd、Pr和Ce中的至少1種,T為過渡金屬中的至少1種且必須包含Fe,所述制造方法包括:
準備平均粒度為10μm以上500μm以下的R-T-B系燒結磁體用合金的粗粉碎粉的工序;
向粉碎室被不活潑氣體充滿的噴射磨裝置供給所述粗粉碎粉并對所述粗粉碎粉進行粉碎,得到平均粒度為2.0μm以上4.5μm以下的微粉末的工序;和
制作所述微粉末的燒結體的工序,
所述不活潑氣體被加濕,所述R-T-B系燒結磁體的氧的含量以質量比計為1000ppm以上3500ppm以下。
2.如權利要求1所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法,其特征在于:
所述R-T-B系燒結磁體的R含量為31質量%以下。
3.如權利要求1或2所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法,其特征在于:
所述不活潑氣體為氮氣。
4.如權利要求1~3中任一項所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法,其特征在于:
還包括使重稀土元素RH從所述燒結體的表面向內部擴散的擴散工序,其中,RH為Tb、Dy、Ho中的至少1種。
5.如權利要求1~4中任一項所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法,其特征在于:
制作所述微粉末的燒結體的工序包括:
通過磁場中濕式壓制或不活潑氣體氣氛中的磁場中壓制由所述微粉末制作粉末成型體的工序;和
對所述粉末成型體進行燒結的工序。
6.如權利要求1~5中任一項所述的R-T-B系燒結磁體的制造方法,其特征在于:
得到所述微粉末的工序中的所述微粉末的所述平均粒度為2.0μm以上3.5μm以下。
7.一種R-T-B系燒結磁體,其特征在于:
R為稀土元素且必須包含選自Nd、Pr和Ce中的至少1種,T為過渡金屬中的至少1種且必須包含Fe,
作為所述R-T-B系燒結磁體的主相的R2T14B相的平均結晶粒徑為3μm以上7μm以下,
含有氧、碳、氮,
氧的含量以質量比計為1000ppm以上3500ppm以下,
碳的含量以質量比計為80ppm以上1500ppm以下,
氮的含量以質量比計為50ppm以上600pm以下,
將以質量比計的氧的含量設為[O],將碳的含量設為[C],并將氮的含量設為[N]時,滿足以下的式1~3:
式1:[O]>[C]>[N],
式2: [O]≥1.5×[N],
式3: [C]≥1.5×[N]。
8.一種R-T-B系燒結磁體,其特征在于:
包含由R2T14B化合物構成的主相和位于所述主相的晶界部分的晶界相,其中,R為稀土元素且必須包含選自Nd、Pr和Ce中的至少1種,T為過渡金屬中的至少1種且必須包含Fe,
作為所述R-T-B系燒結磁體的主相的R2T14B相的平均結晶粒徑為3μm以上7μm以下,所述R-T-B系燒結磁體含有氧、碳、氮,
氧的含量以質量比計為1000ppm以上3500ppm以下,
氮的含量以質量比計為50ppm以上600pm以下,
所述晶界相具有稀土氧化物相,
所述稀土氧化物相包含具有NaCl型結晶結構的稀土氮氧化物相,
將所述稀土氮氧化物相中的O的含量(原子%)設為{O},并將所述稀土氮氧化物相中的N的含量(原子%)設為{N}時,滿足{O}>1.8×{N}的關系。
9.如權利要求8所述的R-T-B系燒結磁體,其特征在于:
將所述稀土氮氧化物相中的C的含量(原子%)設為{C}時,滿足{C}>{N}×0.5的關系。
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