[發(fā)明專利]帶狀薄膜框架上的電子裝置溫度測試在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202080085539.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114787644A | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D·奧馬特;M·沃拉爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德州儀器公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 帶狀 薄膜 框架 電子 裝置 溫度 測試 | ||
1.一種系統(tǒng),其包括:
平臺(tái),其具有經(jīng)配置以支撐具有載體結(jié)構(gòu)及封裝電子裝置的框架的側(cè),每一封裝電子裝置具有第一側(cè)、第二側(cè)及端子,每一封裝電子裝置的所述第一側(cè)定位于所述載體結(jié)構(gòu)上,每一封裝電子裝置的所述端子暴露在所述各自第二側(cè)的第一部分中,且每一封裝電子裝置的所述端子耦合到所述封裝電子裝置的電路;及
接觸器,其具有第一側(cè)、第二側(cè)、接觸件及加熱器,將所述第二側(cè)安裝到基底,所述接觸件耦合到測試電路且暴露在所述接觸器的所述第一側(cè)的第一部分上,所述接觸件適于接觸所述封裝電子裝置中的選定者的所述第一部分中的所述端子,且所述加熱器暴露在所述接觸器的所述第一側(cè)的第二部分上且適于將熱量施加到所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述第二側(cè)的第二部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括耦合到所述平臺(tái)及所述接觸器中的一者的位置控制器,所述位置控制器經(jīng)配置以控制所述平臺(tái)及所述基底的相對(duì)位置以將所述接觸器的所述接觸件接合到所述載體結(jié)構(gòu)上的所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述端子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括具有第一側(cè)及第二側(cè)的第二加熱器,所述第二加熱器的所述第二側(cè)安裝到所述基底,且在所述加熱器將熱量施加到所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述第二側(cè)的所述部分時(shí),所述第二加熱器的所述第一側(cè)適于接觸所述封裝電子裝置中的非選定者的第二側(cè)的部分并向其施加熱量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括:
第一熱控制電路,其具有耦合到所述加熱器的輸出;及
第二熱控制電路,其具有耦合到所述第二加熱器的輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括:
第三加熱器,其具有第一側(cè)及第二側(cè),所述第三加熱器的所述第二側(cè)安裝到所述基底,且在所述加熱器將熱量施加到所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述第二側(cè)的所述部分時(shí),所述第三加熱器的所述第一側(cè)適于將熱量施加到所述封裝電子裝置中的第二非選定者的第二側(cè)的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括:
第一熱控制電路,其具有耦合到所述加熱器的輸出;
第二熱控制電路,其具有耦合到所述第二加熱器的輸出;及
第三熱控制電路,其具有耦合到所述第三加熱器的輸出。
7.一種方法,其包括:
將載體結(jié)構(gòu)上的模制結(jié)構(gòu)切單成在所述載體結(jié)構(gòu)上具有各自第一側(cè)的單獨(dú)封裝電子裝置;及
在將熱量施加到所述載體結(jié)構(gòu)上的所述封裝電子裝置中的選定者的第二側(cè)的同時(shí)測試所述封裝電子裝置中的所述選定者的電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其進(jìn)一步包括:
將接觸件接合到所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述第二側(cè)的第一部分的端子;及
將加熱器接合到所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述第二側(cè)的第二部分;
在經(jīng)由所述接觸件及所述端子測試所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述電路的同時(shí)經(jīng)由所述加熱器將熱量施加到所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述第二側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其進(jìn)一步包括:
在經(jīng)由所述接觸件及所述端子測試所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述電路的同時(shí)將熱量施加到所述封裝電子裝置中的非選定者的第二側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其進(jìn)一步包括:
將第二加熱器接合到所述載體結(jié)構(gòu)上的所述封裝電子裝置中的所述非選定者的所述第二側(cè);及
在經(jīng)由所述接觸件及所述端子測試所述封裝電子裝置中的所述選定者的所述電路的同時(shí)經(jīng)由所述第二加熱器將所述熱量施加到所述封裝電子裝置中的所述非選定者的所述第二側(cè)。
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G01R 測量電變量;測量磁變量
G01R31-00 電性能的測試裝置;電故障的探測裝置;以所進(jìn)行的測試在其他位置未提供為特征的電測試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測試;測試對(duì)象多點(diǎn)通過測試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測試
G01R31-08 .探測電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測試
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