[發明專利]用于增強CO2

在審

• 申請號: 202080084189.0
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN114788101A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 劉飛;黃壯雄;夏寒;U·P·戈梅斯;L·尤班斯基;I·V·福門科夫;陶寅
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H01S3/036
• 分類號: H01S3/036
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 趙林琳

功率放大器包括氣體激光器腔室、氣體激光器功率源、催化劑腔室、反饋裝置和處理器。氣體激光器腔室被配置為容納流動氣體混合物。氣體激光器功率源被耦合到氣體激光器腔室，并且被配置為向流動氣體混合物提供能量以輸出激光束。催化劑腔室被耦合到氣體激光器腔室并且包括催化劑，該催化劑被配置為對流動氣體混合物中的離解分子進行再氧化。反饋裝置被耦合到氣體激光器腔室和/或激光束，并且被配置為測量功率放大器的特性。處理器被耦合到催化劑腔室和反饋裝置。該處理器被配置為基于經測量的特性來調整流動氣體混合物于催化劑腔室中的催化劑的暴露量。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年12月3日提交的題為“GAS QUALITY OPTIMIZATION FORENHANCED CO2 DRIVE LASER PERFORMANCE”的美國申請62/942,789的優先權，該美國申請通過引用被整體并入本文中。

技術領域

本公開涉及例如用于光刻設備和系統的功率放大器設備和系統。

背景技術

光刻設備是被構造為將期望的圖案施加到襯底上的機器。光刻設備可以用于例如集成電路(IC)的制造中。光刻設備可以例如將圖案形成裝置(例如掩模、掩模版)的圖案投影到被設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

為了在襯底上投影圖案，光刻設備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長決定了可以在襯底上形成的特征的最小尺寸。與使用例如波長為193nm的輻射的光刻設備相比，使用波長在4至20nm范圍內(例如，6.7nm或13.5nm)的極紫外(EUV)輻射的光刻設備可以用于在襯底上形成較小特征。

EUV輻射可以通過將材料轉換成發射EUV輻射的等離子體態來產生。經放大的光束可以用于產生EUV等離子體源。紅外激光器可以在驅動激光器輸入功率和輸出EUV功率之間產生高轉換效率。

然而，在氣體激光器的高功率放電期間，激光器氣體混合物的分子會離解并污染功率放大器。此外，激光器氣體混合物中的這種污染會不利地影響激光器性能并使功率放大器隨時間退化。

發明內容

因此，需要減少激光器氣體混合物分子的離解和功率放大器隨時間的退化，并且監測和動態控制在功率放大器中的激光器氣體混合物的質量。

在一些實施例中，用于激光器的功率放大器包括氣體激光器腔室、氣體激光器功率源、催化劑腔室、反饋裝置和處理器。氣體激光器腔室被配置為容納流動氣體混合物。氣體激光器功率源被耦合到氣體激光器腔室，并且被配置為向流動氣體混合物提供能量以輸出激光束。催化劑腔室被耦合到氣體激光器腔室并且包括催化劑，該催化劑被配置為對流動氣體混合物中的離解分子進行再氧化。反饋裝置被耦合到氣體激光器腔室和/或激光束，并且被配置為測量功率放大器的特性。處理器被耦合到催化劑腔室和反饋裝置。該處理器被配置為：基于經測量的特性來調整流動氣體混合物于催化劑腔室中的催化劑的暴露量，和/或基于經測量的特性來調整流動氣體混合物中的一種或多種組分通過氣體激光器腔室的流量，和/或基于經測量的特性來調整催化劑腔室中的催化劑的溫度。

在一些實施例中，處理器被配置為：基于經測量的特性來調整流動氣體混合物于催化劑腔室中的催化劑的暴露量。在一些實施例中，處理器被配置為：基于經測量的特性來調整流動氣體混合物中的一種或多種組分通過氣體激光器腔室的流量。在一些實施例中，處理器被配置為：基于經測量的特性來調整催化劑腔室中的催化劑的溫度。

在一些實施例中，特性包括激光束的輸出功率。在一些實施例中，特性包括激光束的增益。在一些實施例中，特性包括氣體激光器腔室中的流動氣體混合物的組分的濃度。在一些實施例中，特性包括光譜特征。在一些實施例中，特性包括色譜特征和/或質譜特征。