[發明專利]用于在光刻過程中改善襯底的均勻性的方法

在審

• 申請號: 202080077443.4
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN114641731A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: J·加西亞圣克拉拉;J·M·芬德斯;H·F·赫夫納格爾斯;G·里斯朋斯
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

提供了一種處理襯底的方法，所述襯底具有形成在其上的金屬氧化物抗蝕劑層，所述方法包括以下步驟：將所述襯底曝光于圖案化輻射以形成包括位于所述金屬氧化物抗蝕劑層中的多個特征的圖案；將所述襯底的包括至少一個所述特征的一部分曝光于調節輻射，由此引起所述金屬氧化物抗蝕劑層在所述部分中收縮。也提供使計算機設備執行上述方法的計算機程序、和其上存儲有這種計算機程序的計算機程序產品，正如具有適于執行上述方法或運行上述程序的處理器的設備，諸如光刻設備。所述方法和設備可以導致臨界尺寸均勻性的改善。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年11月7日提交的歐洲申請19207681.8的優先權，并且所述歐洲申請的全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本發明涉及用于在光刻過程中改善襯底的均勻性的方法。特別地，但非排他性地，本發明涉及改善襯底上的特征的臨界尺寸(CD)均勻性和/或增加曝光寬容度。本發明可以被用于所有形式的光刻設備。

背景技術

光刻設備是一種被構造成將期望的圖案施加到襯底上的機器。例如，光刻設備可以用于集成電路(IC)的制造中。光刻設備可以例如將圖案形成裝置(例如，掩模)的圖案(通常也稱為“設計布局”或“設計”)投影到設置在襯底(例如，晶片)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

光刻設備用于將圖案投影到襯底上的輻射的波長確定了能夠在所述襯底上形成的特征的最小大小。使用EUV輻射(所述EUV輻射是具有在4nm-20nm范圍內的波長的電磁輻射)的光刻設備可以用于在襯底上形成比使用DUV輻射(例如具有193nm的波長)的光刻設備更小的特征。

一些光刻設備，特別是那些使用EUV輻射的光刻設備，使用具有金屬氧化物光致抗蝕劑或光刻膠(MOR)的襯底作為光敏感層或感光層。這些襯底通過單次曝光EUV而被圖案化，然后被后處理，這可能包括曝光后焙烤和顯影，以及可能的硬焙烤。作為這種處理的結果，所產生的CD均勻性可能低于期望值。

發明內容

本發明的目的是提供處理襯底的方法，所述方法改善所述襯底的臨界尺寸均勻性。

在本發明的實施例中，提供了一種處理襯底的方法，所述襯底具有形成在其上的金屬氧化物抗蝕劑層，所述方法包括以下步驟：將所述襯底曝光于圖案化輻射以形成包括位于所述金屬氧化物抗蝕劑層中的多個特征的圖案；將所述襯底的包括至少一個所述特征的一部分曝光于調節輻射，由此引起所述金屬氧化物抗蝕劑層在所述部分中收縮。

在本發明的另外的實施例中，提供了一種包括計算機可讀指令的計算機程序，所述計算機可讀指令當在適當的計算機設備上運行時促使所述計算機設備執行上述實施例的方法，以及提供了一種在其上存儲有這種計算機程序的計算機可讀介質。

在本發明的另一個實施例中，提供了一種具有處理器的設備，所述處理器專門適于執行上述第一實施例的方法的步驟和/或運行上述實施例的計算機程序。

附圖說明

現在將僅以示例的方式，參考附圖來描述本發明的實施例，其中相對應的附圖標記指示相對應的部分或部件，并且在附圖中：

圖1是包括光刻設備和輻射源的光刻系統的示意性圖示；和

圖2是示出根據本發明實施例的方法對曝光寬容度的影響的曲線圖。

具體實施方式

圖1是光刻系統的示意性圖示。所述光刻系統包括輻射源SO和光刻設備LA。所述輻射源SO配置成產生極紫外(EUV)輻射束B。所述光刻設備LA包括照射系統IL、配置成支撐圖案形成裝置MA的支撐結構MT、投影系統PS、以及配置成支撐襯底W的襯底臺WT。照射系統IL被配置成在輻射束B入射到圖案形成裝置MA上之前調節輻射束B。投影系統被配置為將輻射束B(現在由圖案形成裝置MA圖案化)投影到襯底W上。襯底W可以包括先前形成的圖案。在這種情況下，光刻設備將被圖案化的輻射束B與先前形成于襯底W上的圖案對準。