[發(fā)明專利]用于在光刻過程中改善襯底的均勻性的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202080077443.4
• 申請日: 2020-10-09
• 公開（公告）號: CN114641731A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·加西亞圣克拉拉;J·M·芬德斯;H·F·赫夫納格爾斯;G·里斯朋斯
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種處理襯底的方法，所述襯底具有形成在其上的金屬氧化物抗蝕劑層，所述方法包括以下步驟：

將所述襯底曝光于圖案化輻射以形成包括位于所述金屬氧化物抗蝕劑層中的多個特征的圖案；

將所述襯底的包括至少一個所述特征的一部分曝光于調(diào)節(jié)輻射，由此引起所述金屬氧化物抗蝕劑層在所述部分中收縮。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)輻射是電磁輻射。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)輻射是電子束輻射。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中將所述襯底的一部分曝光于調(diào)節(jié)輻射的步驟包括將所述襯底的多個部分曝光于調(diào)節(jié)輻射。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述多個部分中的至少兩個部分被曝光于不同劑量的調(diào)節(jié)輻射。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)輻射遍及被曝光的部分是均勻的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)輻射的強度遍及被曝光的部分變化，以便在所述被曝光的部分上形成圖案。

8.一種通過光刻在襯底上形成圖案的方法，所述方法包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的處理襯底的方法。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述將所述襯底的一部分曝光于調(diào)節(jié)輻射的步驟之后，顯影由所述圖案化輻射所形成的所述圖案的步驟。

10.一種包括計算機可讀指令的計算機程序，所述計算機可讀指令當(dāng)在適當(dāng)?shù)挠嬎銠C設(shè)備上運行時促使所述計算機設(shè)備執(zhí)行前述權(quán)利要求中任一項所述的方法。

11.一種計算機可讀介質(zhì)，所述計算機可讀介質(zhì)具有存儲于其上的根據(jù)權(quán)利要求10所述的計算機程序。

12.一種具有處理器的設(shè)備，所述處理器專門適于執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法的步驟和/或運行根據(jù)權(quán)利要求10所述的計算機程序。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，所述設(shè)備被專門配置為能夠操作以在襯底上執(zhí)行光刻過程的光刻設(shè)備。