[發明專利]基片清洗裝置和基片清洗方法

在審

• 申請號: 202080073722.3
• 申請日: 2020-10-19
• 公開（公告）號: CN114585454A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 中島常長;飽本正巳
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B08B5/02
• 分類號: B08B5/02;B08B13/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明能夠防止從基片除去的顆粒再次附著于基片。本發明的基片清洗裝置包括：保持基片的基片保持部；氣體噴嘴，其對基片保持部上的基片噴射清洗氣體；和以包圍氣體噴嘴的方式設置的噴嘴罩。從氣體噴嘴對噴嘴罩的減壓室內噴射清洗氣體，在減壓室內生成除去基片上的顆粒的氣體團簇。氣幕用氣體被從噴嘴罩的端部噴射向基片側，在噴嘴罩的端部與基片之間形成氣幕。

技術領域

本發明涉及基片清洗裝置和基片清洗方法。

背景技術

在半導體制造裝置中，制造工序中顆粒對基片的附著是大幅影響產品的成品率的因素之一。為此，在對基片進行處理之前或之后對基片進行清洗，但人們希望開發能夠抑制對基片的損傷且以簡易方法可靠地除去顆粒的清洗技術。人們對施加顆粒與基片之間的附著力以上的物理剪切力而從基片的表面剝離顆粒的各種清洗技術進行了研究、開發，作為其中之一，能夠舉出利用氣體團簇(gas cluster)的物理剪切力的技術。

氣體團簇是將高壓的氣體向由減壓室等形成的真空中噴出，通過絕熱膨脹將氣體冷卻至冷凝溫度，由此多個原子或分子聚集而成的塊(團簇)。在基片清洗時，使該氣體團簇直接或適當加速地照射于基片而除去顆粒。

另外，現有技術中開發了一種有效地除去附著于基片表面的圖案內的顆粒的技術(參照專利文獻1)。

在這樣的情況下，只要能夠防止從基片除去的顆粒被揚起而再次附著于基片，就能夠更有效地清洗基片。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-175681號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明是考慮到上述內容而完成的，提供能夠防止從基片除去的顆粒再次附著于基片的基片清洗裝置和基片清洗方法。

用于解決技術問題的技術方案

本發明為基片清洗裝置，其包括：保持基片的基片保持部；噴嘴罩，具有在其與所述基片之間形成減壓氣氛的減壓室；和氣體噴嘴，其噴射比所述減壓室的壓力高的清洗氣體，生成在所述減壓室內清洗所述基片的氣體團簇，在所述噴嘴罩中的所述基片側的端部設置有對所述基片噴出氣幕用氣體而形成氣幕的氣幕形成部。

發明效果

依照本發明，能夠防止從基片除去的顆粒再次附著于基片。

附圖說明

圖1是表示本實施方式的基片清洗裝置的側視圖。

圖2是表示圖1所示的基片清洗裝置的氣體噴嘴和噴嘴罩的側視圖。

圖3是表示基片清洗裝置的作用的側視圖。

圖4是表示圖3所示的基片清洗裝置的氣體噴嘴和噴嘴罩的側視圖。

圖5是表示基片置于水平方向上的狀態的基片清洗裝置的圖。

圖6是表示基片置于垂直方向上的狀態的基片清洗裝置的圖。

圖7的(a)～(d)是表示利用氣體團簇除去顆粒的情形的側視圖。

圖8的(a)～(d)是表示利用氣體團簇除去顆粒的情形的側視圖。

圖9是表示晶片的表面的俯視圖。

圖10是表示組裝有基片清洗裝置的真空處理裝置的整體的圖。

圖11是表示基片保持部的變形例的圖。

具體實施方式

本實施方式